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型号: | TS25P06G-KC2G |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD |
包装说明: | R-PSFM-T4 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.62 |
最小击穿电压: | 800 V |
配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T4 |
JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 350 A |
元件数量: | 4 |
相数: | 1 |
端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 25 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
最大重复峰值反向电压: | 800 V |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
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