芯片UCC27525DGNR概述
UCC27525DGNR是一款由德州仪器(Texas Instruments, TI)生产的高性能栅极驱动器,广泛应用于功率MOSFET和IGBT的驱动,通过提供高驱动能力和快速开关速度,以优化开关电源和电机控制等应用效率。其设计旨在满足高频率、高效率和高电流驱动的要求,是现代电力电子领域中的一种重要组件。
核心功能与特点
UCC27525DGNR的核心功能是为功率电子器件提供快速、强大的驱动信号。这款驱动器具有以下几项显著特点:
1. 高输出电流:UCC27525DGNR能够提供高达4A的瞬时输出电流,使其能够快速充电和放电MOSFET的栅极,确保迅速的开关响应。 2. 低栅极驱动延迟:该芯片的开关延迟非常小,大约在10ns左右,这使得它能够在高频率操作下依然保持高效的开关性能。
3. 增强的抗干扰能力:内建的保护机制及输出模块设计使得UCC27525DGNR能够在高噪声环境下稳定工作。
4. 单电源操作:该驱动器支持单电源供电,简化设计,提供更好的设计灵活性。
详细参数
UCC27525DGNR的详细技术规格如下:
- 工作电压范围:6V至15V - 输出电流:4A(峰值) - 输入电压范围:0V至5.5V - 栅极驱动延迟:最大10ns - 环境温度范围:-40°C至+125°C - 封装类型:DGN(SOT-23-5封装) - 典型功耗:30µA(设备闲置状态) - 输入逻辑电平:高电平(逻辑1):2V(典型),低电平(逻辑0):0.8V(最大)
这些参数使得UCC27525DGNR在不同条件下均可稳定工作,并且能够满足广泛应用的需求。
厂家、包装、封装
UCC27525DGNR是由德州仪器(Texas Instruments)生产。TI 是全球知名的半导体制造商,以其高质量、高性能的产品而闻名。该芯片的封装为DGN,属于小型表面贴装封装形式,适用SOT-23-5类型。
这种封装设计不仅具有节省空间的优势,还具备良好的电气性能和热性能,能够满足高频应用的需求。每个包装通常包括多片(比如2500片一卷),适合大批量生产的需求。
引脚和电路图说明
UCC27525DGNR的引脚排列如下表所示:
| 引脚编号 | 引脚名称 | 描述 | |----------|----------|-------------------------------------------| | 1 | IN | 输入信号接入引脚 | | 2 | GND | 地线 | | 3 | PVDD | 电源输入引脚 | | 4 | OUT | 驱动输出引脚 | | 5 | COM | 共用引脚(通常接到负载) |
芯片电路图典型接法可见于德州仪器提供的设计文档中,使用时应遵循推荐的电路配置,确保驱动器发挥最佳性能。
在电路中,IN引脚用来接入控制信号,以决定何时开启或关闭输出;而OUT引脚则连接至待驱动的功率MOSFET或IGBT栅极。PVDD引脚用于提供驱动器的工作电源,而GND引脚连接至系统地,确保信号的稳定性。COM引脚则提供了一个共接地连接,对于共用多个驱动器的应用非常重要。
使用案例
UCC27525DGNR的应用场合极为丰富,以下是几个典型的使用案例:
1. 开关电源: UCC27525DGNR常用作开关电源中的MOSFET驱动器,通过快速的开关能力提高电源的转换效率。在高频开关过程中,快速充放电可以显著降低开关损耗,提升整体功率密度。
2. 电机驱动: 在电机控制系统中,UCC27525DGNR可用于驱动高功率的IGBT以实现电机的高效控制。通过其快速的开关特性,能够实现精准的电流控制,提高电机的响应速度及性能。
3. 电池管理系统: 在电池管理系统中,UCC27525DGNR可用于驱动电池的开关控制MOSFET,从而实现对电池的充电和放电控制,确保系统的安全性与高效性。
4. LED驱动应用: 在LED驱动应用中,UCC27525DGNR可以用于驱动高功率LED,通过快速控制LED的开关状态,实现亮度调节和保护功能。
这些案例展示了UCC27525DGNR的多功能性以及在现代电子产品中的重要地位,凸显了其在推动高效能源利用及智能自动化方面的价值和作用。
封装与温度特性
由于工作环境的多样性,UCC27525DGNR部件具备了宽广的环境温度适应性,能够适应-40°C至+125°C的工作温度范围,保证其在恶劣环境下的可靠性。其封装设计同时考虑了散热性能,确保高功率操作时不易过热。
UCC27525DGNR作为现代电子器件中的一款重要组成部分,凭借其高效能和多功能应用,展现了在电子技术发展中的巨大潜力与影响。
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型号: | UCC27525DGNR |
Brand Name: | Texas Instruments |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
零件包装代码: | MSOP |
包装说明: | HTSSOP, TSSOP8,.19 |
针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 1.64 |
Is Samacsys: | N |
高边驱动器: | NO |
接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码: | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 |
长度: | 3 mm |
湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 140 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 5 A |
标称输出峰值电流: | 5 A |
输出极性: | TRUE AND INVERTED |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | HTSSOP |
封装等效代码: | TSSOP8,.19 |
封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 4.5/18 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.1 mm |
子类别: | MOSFET Drivers |
最大供电电压: | 18 V |
最小供电电压: | 4.5 V |
标称供电电压: | 12 V |
表面贴装: | YES |
技术: | BICMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
断开时间: | 0.023 µs |
接通时间: | 0.023 µs |
宽度: | 3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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