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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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VESD05A4A-HS4-GS08产品参数
型号:VESD05A4A-HS4-GS08
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
包装说明:R-PDSO-N6
针数:6
制造商包装代码:CASE LLP1010-6L
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
其他特性:LOW CAPACITANCE
最大击穿电压:8 V
最小击穿电压:6 V
击穿电压标称值:7 V
外壳连接:ANODE
最大钳位电压:12 V
配置:COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-N6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:30 W
元件数量:4
端子数量:6
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:5 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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