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| 型号: | W25Q32JVDAIQ |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 |
| Samacsys Description： | NOR Flash spiFlash, 32M-bit, DTR, 4Kb Uniform Sector |
| 其他特性： | 2.7V NOMINAL AVAILABLE WITH 104MHZ |
| 备用内存宽度： | 1 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 9.27 mm |
| 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 编程电压： | 3 V |
| 座面最大高度： | 5.33 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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