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| 型号: | W25Q80BLDAIG |
| 是否Rohs认证: | 符合 |
| 生命周期: | Obsolete |
| 零件包装代码: | DIP |
| 包装说明: | DIP, DIP8,.3 |
| 针数: | 8 |
| Reach Compliance Code: | compliant |
| ECCN代码: | EAR99 |
| HTS代码: | 8542.32.00.51 |
| 风险等级: | 5.69 |
| Is Samacsys: | N |
| 最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz |
| 数据保留时间-最小值: | 20 |
| 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
| 长度: | 9.27 mm |
| 内存密度: | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型: | FLASH |
| 内存宽度: | 1 |
| 功能数量: | 1 |
| 端子数量: | 8 |
| 字数: | 8388608 words |
| 字数代码: | 8000000 |
| 工作模式: | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度: | 85 °C |
| 最低工作温度: | -40 °C |
| 组织: | 8MX1 |
| 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码: | DIP |
| 封装等效代码: | DIP8,.3 |
| 封装形状: | RECTANGULAR |
| 封装形式: | IN-LINE |
| 并行/串行: | SERIAL |
| 电源: | 3/3.3 V |
| 编程电压: | 3 V |
| 认证状态: | Not Qualified |
| 座面最大高度: | 5.33 mm |
| 串行总线类型: | SPI |
| 最大待机电流: | 0.000005 A |
| 子类别: | Flash Memories |
| 最大压摆率: | 0.018 mA |
| 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
| 表面贴装: | NO |
| 技术: | CMOS |
| 温度等级: | INDUSTRIAL |
| 端子形式: | THROUGH-HOLE |
| 端子节距: | 2.54 mm |
| 端子位置: | DUAL |
| 类型: | NOR TYPE |
| 宽度: | 7.62 mm |
| 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches: | 1 |
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