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型号: | W25Q80DVUXIE |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
包装说明: | USON-8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.38 |
最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz |
数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
长度: | 3 mm |
内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 |
字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8MX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | HVSON |
封装等效代码: | SOLCC8,.12,20 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.6 mm |
串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 2 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
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