W9812G6JH-6芯片概述
W9812G6JH-6是一款高性能的DDR2 SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器),由Winbond Electronics Corporation所生产。这款芯片主要用于高性能计算机及嵌入式系统,具有高带宽和低功耗的特点。W9812G6JH-6可广泛应用于笔记本电脑、台式机、服务器以及其他数据处理设备中。
DDR2 SDRAM已经成为现代电子设备中不可或缺的一部分,其速度和容量的提升使得数据的传输变得更加高效。W9812G6JH-6采用了最新的生产工艺,提供了更高的存储密度和更快的响应时间,从而满足了对高性能计算需求的要求。
W9812G6JH-6的详细参数
W9812G6JH-6的具体参数包括:
- 容量:1 Gbit(Gigabit) - 数据总线宽度:x16 - 运行频率:可在400 MHz下工作,支持DDR2标准 - 带宽:每个引脚在每个时钟周期进行一次数据传输,最高可达8.5 GB/s - 电压:核心电压为1.8V,IO电压为1.8V - 时序:CL=4/5/6,可根据需求选择,以适应不同的应用场景 - 封装类型:FBGA(微型球栅阵列),48球封装
W9812G6JH-6的厂家、包装、封装
W9812G6JH-6的制造商为Winbond Electronics Corporation,是一家专注于存储器和非易失性存储解决方案的公司。Winbond以其高品质和优良的客户服务而闻名。W9812G6JH-6在设计上适合高效能的计算需求,常用于高端存储器产品系列。
该芯片的包装采用了FBGA封装,尺寸为8mm x 8mm。这种封装形式具有较小的占用面积,适合高速数据传输和高密度的数据存储需求。其表面采用环保材料,符合当前电子行业对环保的要求。
W9812G6JH-6的引脚和电路图说明
W9812G6JH-6的引脚排列和功能定义如下:
1. 引脚1-8:DQ0-DQ7:数据输入和输出引脚,提供数据传输。 2. 引脚9:DQMB0:数据掩码引脚,用于控制数据的输入和输出。 3. 引脚10-12:A0-A2:地址引脚,用于选择存储单元。 4. 引脚13:Ras:行选择信号引脚,用于激活行。 5. 引脚14:Cas:列选择信号引脚,用于激活列。 6. 引脚15:We:写使能信号,用于控制写入操作。 7. 引脚16:Cs:片选择,引脚用于选择该芯片。
W9812G6JH-6实施时一般会由多个内存模块组成,每个模块在电路设计上需相互配合,形成主控信号与数据传输信号。
W9812G6JH-6的使用案例
W9812G6JH-6在不同应用领域的使用案例十分广泛,以下是一些具体的应用场景:
1. 笔记本电脑:在笔记本电脑内存模块中,W9812G6JH-6可以提供较高的带宽和快速的数据处理能力,使得多任务处理和高分辨率图形生成的性能得以提升。
2. 台式机:在台式计算机中,用户通常需要进行大量的数据处理或运行复杂程序,W9812G6JH-6能够有效提升数据读取和写入性能,从而加速计算过程。
3. 服务器:在高性能服务器环境中,数据传输的效率至关重要,W9812G6JH-6的高带宽特性可以支持快速的数据存储需求,满足大数据处理的要求。
4. 嵌入式系统:在一些嵌入式应用中,W9812G6JH-6则提供了额外的存储解决方案,适用于智能家居、物联网设备等,在空间受限的情况下,仍能够实现高效的数据存储与处理。
5. 图形处理单元(GPU):随着图形处理性能的不断提升,W9812G6JH-6可应用于高端的图形卡中,为图形渲染和游戏性能提供支持。
W9812G6JH-6的应用不仅限于上述几个领域,其卓越的性能和多样化的用途使得它在电子设备的设计中占据了一席之地。对于设计师和工程师而言,了解该芯片的各项参数和特性,可以更好地满足特定项目的需求,优化系统的整体性能。
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型号: | W9812G6JH-6 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
针数: | 54 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.23 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
JESD-609代码: | e3 |
长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 54 |
字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 8MX16 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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