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    • 深圳市芯必得电子科技有限公司

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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 深圳市楚胜电子有限公司

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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 批号2023+ 
    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 封装TO-220F 
    • 批号2024+ 
    • 原装正品 一手现货 假一赔百
    • QQ:2881951980QQ：2881951980 复制
    • 15873513267 QQ:2881951980

    产品型号YG865C04R的概述

    芯片YG865C04R的概述 YG865C04R是一款广泛应用于电子设备中的集成电路芯片，主要用于数据处理、信号转换以及控制系统等领域。它的设计初衷是优化功耗和提高性能，适用于需要高效能和低延迟反应的设备。YM865C04R不仅在工业领域表现出色，也逐渐渗透到消费电子、物联网设备和汽车电子等多个行业。 芯片YG865C04R的详细参数 YG865C04R的主要技术参数如下： - 电源电压：3.3V ± 10% - 工作温度范围：-40°C至85°C - 处理速度：可达200 MHz的时钟频率 - 数据输出接口：SPI、I2C、UART等接口支持 - 功耗：在正常工作状态下，静态功耗小于20 mW - 集成模块：内置ADC和DAC，支持多位数模转换和模数转换 - 封装尺寸：QFN封装，尺寸为5mm x 5mm - 引脚数量：32引脚 芯片YG865C04R的厂家、包装与封装 YG865...

    产品型号YG865C04R的Datasheet PDF文件预览

    YG865C04R (45V / 20A)  
    [200509]  
    Outline drawings, mm  
    Low IR Schottky barrier diode  
    Features  
    Low IR  
    Low VF  
    Center tap connection  
    Applications  
    High frequency operation  
    DC-DCconverters  
    AC adapter  
    Package : TO-220F  
    Epoxy resin UL : V-0  
    Connection diagram  
    1
    2
    3
    Maximum ratings and characteristics  
    Maximum ratings  
    Conditions  
    Rating  
    45  
    Symbol  
    VRSM  
    VRRM  
    Viso  
    Io  
    Item  
    Unit  
    V
    Repetitive peak surge reverse voltage  
    Repetitive peak reverse voltage  
    Isolating voltage  
    tw=500ns, duty=1/40  
    45  
    V
    1500  
    20  
    Terminals-to-Case, AC.1min.  
    V
    Square wave, duty=1/2  
    Tc=115°C  
    Average output current  
    A
    *
    IFSM  
    PRM  
    Tj  
    145  
    330  
    +150  
    Non-repetitive surge current  
    non-repetitive reverse surge power dissipation  
    Operating junction temperature  
    Storage temperature  
    Sine wave 10ms  
    tw=10µs, Tj=25°C  
    A
    W
    °C  
    °C  
    Tstg  
    -40 to +150  
    * Out put current of center tap full wave connection  
    Electrical characteristics (at Ta=25°C Unless otherwise specified )  
    Item  
    Max.  
    0.63  
    175  
    2.5  
    Conditions  
    IF=10A  
    Symbol  
    VF  
    Unit  
    V
    Forward voltage **  
    Reverse current **  
    Thermal resistance  
    VR=40V  
    IR  
    µA  
    Junction to case  
    Rth(j-c)  
    °C/W  
    **Rating per element  
    Mechanical characteristics  
    Recommended torque  
    Mounting torque  
    0.3 to 0.5  
    2
    N·m  
    g
    Approximate mass  
    http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
    (45V / 20A )  
    YG865C04R (20A)  
    Characteristics  
    Reverse Characteristic (typ.)  
    Forward Characteristic (typ.)  
    Tj=150oC  
    Tj=125oC  
    101  
    100  
    Tj=100oC  
    10  
    Tj=150oC  
    Tj=125oC  
    Tj=100oC  
    10-1  
    10-2  
    10-3  
    10-4  
    Tj=25oC  
    Tj= 25oC  
    1
    0.1  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    60  
    0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0  
    VR Reverse Voltage (V)  
    VF Forward Voltage (V)  
    Reverse Power Dissipation (max.)  
    4
    Forward Power Dissipation (max.)  
    16  
    360 º  
    Io  
    14  
    12  
    10  
    8
    DC  
    VR  
    λ
    3
    2
    1
    0
    360 º  
    α
    Square wave λ=60o  
    Square wave λ=120o  
    Sine wave λ=180o  
    Square wave λ=180o  
    DC  
    α=180o  
    6
    4
    2
    Per 1element  
    10  
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    12  
    0
    20  
    40  
    60  
    Io Average Forward Current (A)  
    VR Reverse Voltage (V)  
    Junction Capacitance Characteristic (max.)  
    Current Derating (Io-Tc) (max.)  
    1000  
    150  
    140  
    130  
    120  
    110  
    100  
    90  
    DC  
    Square wave λ=180o  
    Sine wave λ=180o  
    Square wave λ=120o  
    100  
    360 º  
    λ
    Square wave λ=60o  
    Io  
    80  
    VR=20V  
    10  
    70  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    30  
    1
    10  
    100  
    1000  
    Io Average Output Current (A)  
    λ:Conduction angle of forward current for each rectifier element  
    VR Reverse Voltage (V)  
    Io:Output current of center-tap full wave connection  
    YG865C04R (20A)  
    (45V / 20A )  
    Surge Capability (max.)  
    1000  
    100  
    10  
    1
    10  
    100  
    Number of Cycles at 50Hz  
    Surge Current Ratings (max.)  
    1000  
    100  
    10  
    1
    10  
    100  
    1000  
    tTime (ms) Sinewave  
    Transient Thermal Impedance (max.)  
    101  
    Rth(j-c):2.5°C/W  
    100  
    10-1  
    10-2  
    10-3  
    10-2  
    10-1  
    100  
    101  
    102  
    t
    Time (sec)  
    http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
    配单直通车
    YG865C04R产品参数
    型号:YG865C04R
    生命周期：Active
    零件包装代码：TO-220AB
    包装说明：PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
    针数：3
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.10.00.80
    风险等级：5.47
    Is Samacsys：N
    应用：GENERAL PURPOSE
    外壳连接：ISOLATED
    配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    JEDEC-95代码：TO-220AB
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    最大非重复峰值正向电流：145 A
    元件数量：2
    相数：1
    端子数量：3
    最高工作温度：150 °C
    最大输出电流：20 A
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    认证状态：Not Qualified
    最大重复峰值反向电压：45 V
    表面贴装：NO
    技术：SCHOTTKY
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    Base Number Matches：1
    •  
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