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产品型号YG868C04R的Datasheet PDF文件预览

YG868C04R (45V / 30A)  
[200509]  
Outline drawings, mm  
Low IR Schottky barrier diode  
Features  
Low IR  
Low VF  
Center tap connection  
Applications  
High frequency operation  
DC-DCconverters  
AC adapter  
Package : TO-220F  
Epoxy resin UL : V-0  
Connection diagram  
1
2
3
Maximum ratings and characteristics  
Maximum ratings  
Conditions  
Rating  
45  
Symbol  
VRSM  
VRRM  
Viso  
Io  
Item  
Unit  
V
Repetitive peak surge reverse voltage  
Repetitive peak reverse voltage  
Isolating voltage  
tw=500ns, duty=1/40  
45  
V
1500  
30  
Terminals-to-Case, AC.1min.  
V
Square wave, duty=1/2  
Tc=105°C  
Average output current  
A
*
IFSM  
PRM  
Tj  
160  
1000  
+150  
Non-repetitive surge current  
non-repetitive reverse surge power dissipation  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
Sine wave 10ms  
tw=10µs, Tj=25°C  
A
W
°C  
°C  
Tstg  
-40 to +150  
* Out put current of center tap full wave connection  
Electrical characteristics (at Ta=25°C Unless otherwise specified )  
Item  
Max.  
0.63  
200  
2.0  
Conditions  
IF=15A  
Symbol  
VF  
Unit  
V
Forward voltage **  
Reverse current **  
Thermal resistance  
VR=40V  
IR  
µA  
Junction to case  
Rth(j-c)  
°C/W  
**Rating per element  
Mechanical characteristics  
Recommended torque  
Mounting torque  
0.3 to 0.5  
2
N·m  
g
Approximate mass  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
(45V / 30A )  
YG868C04R (30A)  
Characteristics  
Reverse Characteristic (typ.)  
Forward Characteristic (typ.)  
Tj=150oC  
Tj=125oC  
Tj=100oC  
101  
100  
10  
1
Tj=150oC  
Tj=125oC  
Tj=100oC  
Tj=25oC  
10-1  
10-2  
10-3  
Tj= 25oC  
0.1  
0.01  
10  
20  
30  
40  
50  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
VR Reverse Voltage (V)  
VF Forward Voltage (V)  
Reverse Power Dissipation (max.)  
Forward Power Dissipation (max.)  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
5
360 º  
Io  
λ
VR  
4
3
2
1
0
DC  
360 º  
α
Square wave λ=60  
Square wave λ=120o  
Sine wave λ=180o  
Square wave λ=180o  
DC  
α=180o  
6
4
2
0
Per 1element  
14 16  
-2  
-2  
0
2
4
6
8
10  
12  
18  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
Io Average Forward Current (A)  
VR Reverse Voltage (V)  
Current Derating (Io-Tc) (max.)  
Junction Capacitance Characteristic (max.)  
1000  
100  
10  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
DC  
Square wave λ=180o  
Sine wave λ=180o  
Square wave λ=120o  
360 º  
80  
λ
Io  
70  
Square wave λ=60o  
60  
VR=20V  
50  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
1
10  
100  
1000  
Io Average Output Current (A)  
VR Reverse Voltage (V)  
λ:Conduction angle of forward current for each rectifier element  
Io:Output current of center-tap full wave connection  
YG868C04R (30A)  
(45V / 30A )  
Surge Capability (max.)  
1000  
100  
10  
1
10  
100  
Number of Cycles at 50Hz  
Surge Current Ratings (max.)  
1000  
100  
10  
1
10  
100  
1000  
tTime (ms) Sinewave  
Transient Thermal Impedance (max.)  
101  
Rth(j-c):2.0°C/W  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-2  
10-1  
t
100  
101  
102  
Time (sec)  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
配单直通车
YG868C04R产品参数
型号:YG868C04R
生命周期:Active
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.18
Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:160 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:45 V
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1
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