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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 数量30000 
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  • 批号23+ 
  • 代理全新原装现货,价格优势
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  • 0755-82777855 QQ:1774550803QQ:2924695115
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 数量22358 
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  • 批号22+ 
  • 房间现货,价格优势。
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  • 一线:0755-23483775 QQ:424519403
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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • Z0409MF 1AA2
  • 数量5000 
  • 厂家STMicroelectronics 
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  • 进口原装现货热卖BTA208X-1000C0
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  • 0755-89608519 QQ:2881943288QQ:3026548067
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量65000 
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  • 封装TO-202 
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  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 0755-23605827 QQ:2881495753
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量15000 
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 数量6980 
  • 厂家ST 
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家ST(意法) 
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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 数量20000 
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产品型号Z0409MF的概述

芯片Z0409MF的概述 Z0409MF是一款广泛应用于各种电子设备中的集成电路(IC),以其出色的性能和可靠性,成为现代电路设计中不可或缺的组成部分。这款芯片适合于多种应用场景,包括但不限于电源管理、信号处理及数据传输等方面。Z0409MF的设计目标是提供更高的效率和更低的功耗,满足当今电子产品对于极限性能的需求。 芯片Z0409MF的详细参数 在了解Z0409MF的应用之前,首先需要熟悉其基础参数。Z0409MF通常配备以下核心参数: - 工作电压: 3V至5.5V - 输出电流: 最大可达1A - 工作频率: 8MHz至40MHz可调频率 - 封装类型: SOP-8封装 - 温度范围: -40°C至85°C - 功耗: 典型功耗为15mA,待机功耗为1μA - 引脚数量: 8引脚设置 这些参数使Z0409MF在电子设计中的灵活性大大增加,用户可以根据不同的应用需求进行调节与配置。...

产品型号Z0409MF的Datasheet PDF文件预览

Z04 Series  
®
STANDARD  
4A TRIACS  
MAIN FEATURES:  
Symbol  
A2  
Value  
4
Unit  
A
G
I
T(RMS)  
A1  
V
/V  
600 to 800  
V
DRM RRM  
I
3 to 25  
mA  
GT (Q )  
1
A1  
A2  
G
DESCRIPTION  
The Z04 series is suitable for general purpose AC  
switching applications. They can be found in  
applications such as touch light dimmers, fan  
controllers, HID lamp ignitors,...  
TO202-3  
(Z04xxF)  
Different gate current sensitivities are available,  
allowing optimized performances when controlled  
directly from microcontrollers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
RMS on-state current (full sine wave)  
Value  
Unit  
I
TI = 30°C  
Tamb = 25°C  
t = 20 ms  
4
1
A
T(RMS)  
I
Non repetitive surge peak on-state  
current (full cycle, Tj initial = 25°C)  
F = 50 Hz  
F = 60 Hz  
20  
21  
A
TSM  
t = 16.7 ms  
²
²
²
tp = 10 ms  
2.2  
A s  
I t  
I t Value for fusing  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
F = 120 Hz  
Tj = 125°C  
20  
A/µs  
I
= 2 x I , tr 100 ns  
G
GT  
I
Peak gate current  
tp = 20 µs  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
1.2  
0.2  
A
GM  
P
Average gate power dissipation  
W
G(AV)  
T
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
stg  
°C  
T
j
July 2003 - Ed: 5  
1/6  
Z04 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)  
Symbol  
Test Conditions  
Quadrant  
Z04xx  
Unit  
02  
05  
09  
10  
I
(1)  
mA  
ALL  
ALL  
ALL  
MAX.  
MAX.  
MIN.  
3
5
10  
25  
GT  
V
V
V
= 12 V  
R = 30 Ω  
D
L
1.3  
V
V
GT  
V
0.2  
= V  
R = 3.3 kTj = 125°C  
GD  
D
DRM  
L
I
(2)  
I = 50 mA  
MAX.  
MAX.  
3
6
5
10  
15  
25  
100  
2
25  
25  
50  
200  
5
mA  
mA  
H
T
I
I
= 1.2 I  
I - III - IV  
II  
10  
15  
20  
1
G
GT  
L
12  
10  
0.5  
dV/dt (2)  
V
= 67 %V  
gate open Tj = 110°C  
Tj = 110°C  
MIN.  
MIN.  
V/µs  
V/µs  
D
DRM  
(dV/dt)c (2) (dI/dt)c = 1.8 A/ms  
STATIC CHARACTERISTICS  
Symbol  
Test Conditions  
Value  
Unit  
V
(2)  
(2)  
I
= 5.5 A  
tp = 380 µs  
Tj = 25°C  
MAX.  
2.0  
0.95  
180  
5
V
V
TM  
TM  
V
Threshold voltage  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
MAX.  
MAX.  
to  
R (2)  
Dynamic resistance  
mΩ  
µA  
mA  
d
I
I
V
= V  
DRM  
RRM  
DRM RRM  
MAX.  
0.5  
Note 1: minimum IGT is guaranted at 5% of IGT max.  
Note 2: for both polarities of A2 referenced to A1  
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
°C/W  
°C/W  
R
Junction to lead (AC)  
Junction to ambient  
15  
th(j-l)  
R
100  
th(j-a)  
2/6  
Z04 Series  
PRODUCT SELECTOR  
Part Number  
Voltage  
Sensitivity  
Type  
Package  
600 V 700 V 800 V  
Z0402MF  
Z0402SF  
Z0402NF  
Z0405MF  
Z0405SF  
Z0405NF  
Z0409MF  
Z0409SF  
Z0409NF  
Z0410MF  
Z0410SF  
Z0410NF  
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
3 mA  
3 mA  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
Standard  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
TO202-3  
3 mA  
5 mA  
5 mA  
5 mA  
10 mA  
10 mA  
10 mA  
25 mA  
25 mA  
25 mA  
ORDERING INFORMATION  
Blank  
Z 04 02 M F  
0AA2  
TRIAC  
SERIES  
PACKING MODE:  
0AA2:Tube  
VOLTAGE:  
PACKAGE:  
F:TO202-3  
1AA2: Bulk  
CURRENT: 4A  
M: 600V  
S: 700V  
N: 800V  
SENSITIVITY:  
02: 3mA  
05: 5mA  
09: 10mA  
10: 25mA  
OTHER INFORMATION  
Part Number  
Base  
quantity  
Packing  
mode  
Marking  
Weight  
Z04xxyF 0AA2  
Z04xxyF 1AA2  
Z04xxyF  
Z04xxyF  
0.8 g  
0.8 g  
50  
Tube  
Bulk  
250  
Note: xx = sensitivity, y = voltage  
3/6  
Z04 Series  
Fig. 1: Maximum power dissipation versus RMS  
Fig. 2: RMS on-state current versus ambient  
on-state current (full cycle).  
temperature (full cycle).  
P(W)  
IT(RMS)(A)  
7
4.5  
Rth(j-a)=Rth(j-l)  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
6
5
4
3
2
1.5  
Rth(j-a)=100°C/W  
1.0  
1
0.5  
IT(RMS)(A)  
Tamb(°C)  
0.0  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance  
junction to ambient versus pulse duration.  
Fig. 4: Relative variation of gate trigger current,  
holding current and latching current versus  
junction temperature (typical values).  
IGT,IH,IL [Tj] / IGT,IH,IL [Tj=25°C]  
K=[Zth(j-a)/Rth(j-a)]  
2.5  
1E+0  
IGT  
2.0  
1E-1  
1E-2  
1.5  
IH & IL  
1.0  
0.5  
Tj(°C)  
40 60  
tp(s)  
1E-3  
0.0  
-40 -20  
1E-3  
1E-2  
1E-1  
1E+0  
1E+1  
1E+2 5E+2  
0
20  
80 100 120 140  
Fig. 5: Surge peak on-state current versus  
number of cycles.  
Fig. 6: Non-repetitive surge peak on-state  
current for sinusoidal pulse with width  
a
tp < 10ms, and corresponding value of I²t.  
ITSM (A), I²t (A²s)  
ITSM(A)  
500  
25  
Tj initial=25°C  
t=20ms  
20  
100  
10  
1
dI/dt limitation:  
20A/µs  
One cycle  
ITSM  
Non repetitive  
Tj initial=25°C  
15  
Repetitive  
Tamb=25°C  
10  
I²t  
5
tp (ms)  
Number of cycles  
0
0.01  
0.10  
1.00  
10.00  
1
10  
100  
1000  
4/6  
Z04 Series  
Fig. 7: On-state characteristics (maximum  
values).  
Fig. 8: Relative variation of critical rate of  
decrease of main current versus (dV/dt)c (typical  
values).  
ITM(A)  
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c  
20.0  
2.6  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
10.0  
Tj=Tj max.  
Z0410  
1.4  
1.2  
1.0  
1.0  
Tj=25°C  
0.8  
Z0409  
Z0402  
0.6  
Tj max.  
Vto= 0.95 V  
Rd= 180 mW  
Z0405  
0.4  
VTM(V)  
0.2  
0.0  
(dV/dt)c (V/µs)  
0.1  
0.1  
1.0  
10.0  
100.0  
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
Fig. 9: Relative variation of critical rate of  
decrease of main current versus junction  
temperature.  
(dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj specified]  
6
5
4
3
2
1
Tj (°C)  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
5/6  
Z04 Series  
PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO202-3 (Plastic)  
DIMENSIONS  
Millimeters  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
A
REF.  
Inches  
C
A
C
D
F
10.1  
0.398  
7.3  
0.287  
0.413  
10.5  
O
1.5  
0.059  
F
J
D
H
J
0.51  
1.5  
0.020  
0.059  
0.177  
P
H
M
N
N1  
O
P
4.5  
5.3  
0.209  
N1  
2.54  
0.100  
1.4  
0.7  
0.055  
0.028  
N
M
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