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产品型号ZTX948STZ的概述

芯片 ZTX948STZ 概述 ZTX948STZ 是一种 NPN 型功率晶体管，广泛应用于电子电路中的放大器和开关设备。该芯片设计用于各种电子设备的输出阶段，其高增益及良好的频率响应，使其成为实现高效电源管理及信号放大的理想选择。得益于其出色的性能，ZTX948STZ 被广泛应用于家电、音频放大器、自动化设备以及其他要求高效能的电子产品中。详细参数 ZTX948STZ 的主要技术参数如下： - 类型：NPN 硅晶体管 - 集电极-发射极电压（Vce）：50 V - 集电极-基极电压（Vcb）：50 V - 基极-发射极电压（Vbe）：5 V - 最大集电极电流（Ic）：3 A - 最大功耗（Ptot）：75 W - DC 电流增益（hFE）：100 - 200 - 工作温度范围（Tj）：-55°C 到 +150°C - 封装形式：TO-220 - 引脚配置： 1. 集电极（C）...

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 2 JUNE 94

ZTX948

FEATURES

*

4.5 Amps continuous current

Up to 20 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent gain up to 20 Amps

Very low leakage

C

B

E

Exceptional gain linearity down to 10mA

Spice model available

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

V

Collector-Base Voltage

-40

-20

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V

-6

V

Peak Pulse Current

-20

A

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

-4.5

A

P_totp

1.58

W

°C

P_tot

1.2

T_j:Tstg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-40

-20

-6

-55

-30

-8

V

I_C=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltag

IC=-1µA, RB ≤1KΩ

I_C=-10mA*

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-50

-1

nA

µA

V_CB=-30V

V_CB=-30V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

-50

-1

nA

µA

V_CB=-30V

_CB=-30V, T_amb=100°C

V

I_EBO

-10

nA

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-45

-90

-180

-230

-100

-150

-250

-310

mV

I_C=-0.5A, I_B=-10mA*

I_C=-2A, I_B=-200mA*

I_C=-4A, I_B=-400mA*

I_C=-5A, I_B=-300mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-960

-1100 mV

I_C=-5A, I_B=-300mA*

3-309

ZTX948

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Base-Emitter

Turn-On Voltage

V_BE(on)

-860

-1000 mV

IC=-5A, V_CE=-1V*

Static Forward

Current Transfer Ratio

h_FE

100

75

60

15

200

160

130

40

I_C=-10mA, V_CE=-1V

I_C=-1A, V_CE=-1V*

I_C=-5A, V_CE=-1V*

I_C=-10A, V_CE=-1V*

I_C=-20A, V_CE=-1V*

300

Transition Frequency

f_T

80

MHz

pF

I_C=-100mA, V_CE=-10V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

163

V_CB=-10V, f=1MHz

t_on

t_off

120

126

ns

I_C=-4A, I_B1=-400mA

I_B2=400mA, V_CC=-10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX.

UNIT

Thermal Resistance: Junction to Ambient

Junction to Case

R_th(j-amb)

R_th(j-case)

150

50

°C/W

4.0

3.0

2.0

1.0

D.C.

150

t

1

D=t

1/tP

100

50

0

t_P

D=0.6

D=0.2

D=0.1

D=0.05

Single Pulse

-40 -20

0

20

0.0001 0.001

0.01

0.1

1

10

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-310

ZTX948

TYPICAL CHARACTERISTICS

-55°C

+25°C

+175°C

I^C/I^B=50

I^C/I^B=10

T^amb=25°C

I^C/I^B=10

1.6

1.4

1.2

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.001

0.01

0.1

1

10 20

0.001

0.01

0.1

1

10 20

I^C- Collector Current (Amps)

VCE(sat) v IC

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

+100°C

+25°C

-55°C

V_CE=1V

I_C/I_B=10

1.6

1.4

1.6

1.4

1.2

300

200

100

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.001

0.01

0.1

10 20

1

0.001

0.01

0.1

1

10 20

IC - Collector Current (Amps)

FE

IC - Collector Current (Amps)

BE(sat)

C

v I

h

v I

V

Single Pulse Test at T^amb=25°C

100

10

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

V^CE=1V

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

D.C.

1s

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

1

0

0.001

0.01

0.1

1

10 20

0.1

1

10

100

IC - Collector Current (Amps)

BE(on)

VCE - Collector Voltage (Volts)

C

V

v I

Safe Operating Area

3-311

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型号:	ZTX948STZ
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred
IHS 制造商：	ZETEX PLC
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	4.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	0.31 V
Base Number Matches：	1

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