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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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ZXMN2A01E6TA产品参数和技术文档

ZXMN2A01E6TA产品图

ZXMN2A01E6TA产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.25846
$775.39

ZXMN2A01E6TA产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.5A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 4A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):303pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.1W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT-23-6

封装/外壳:SOT-23-6

标准包装:3,000

其它名称:1034-ZXMN2A01E6TR

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