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品牌:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.7A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
制造商:Diodes Incorporated
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):55 毫欧 @ 7.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):837pF @ 10V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SOT-23-6
封装/外壳:SOT-23-6
标准包装:3,000
其它名称:ZXMN2A03E6TR
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