ZXMN2B03E6TA产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1160pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23-6

封装/外壳：SOT-23-6

标准包装：3,000

其它名称：ZXMN2B03E6TR