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ZXMN3AM832TA产品参数和技术文档

ZXMN3AM832TA产品图

ZXMN3AM832TA产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.38353
$1,150.58

ZXMN3AM832TA产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.9A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):190pF @ 25V

功率 - 最大值:1.13W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:8-MLP(3x2)

标准包装:3,000

其它名称:ZXMN3AM832TR

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