ZXMN3AM832TA产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.9A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：190pF @ 25V

功率 - 最大值：1.13W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-MLP（3x2）

标准包装：3,000

其它名称：ZXMN3AM832TR