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品牌:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)
制造商:Diodes Incorporated
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:停產
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.9A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):190pF @ 25V
功率 - 最大值:1.13W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-MLP(3x2)
标准包装:3,000
其它名称:ZXMN3AM832TR
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