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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 深圳市恒嘉威智能科技有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • 厂家ZETEX/DIODES 
  • 封装SOT-163 
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Diodes Incorporated 
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 受权代理!全新原装现货特价热卖!
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  • 深圳市顺兴源微电子商行

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • ZXT13N15DE6TA图
  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • ZXT13N15DE6TA
  • 数量20000 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT-23-6 
  • 批号22+ 
  • 深圳现货库存,保证原装正品
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产品型号ZXT13N15DE6TA的概述

ZXT13N15DE6TA 芯片概述 ZXT13N15DE6TA 是一种 N 通道图形功率 MOSFET,通常用于开关电源、转换器以及其他高效率的电力管理应用。它以其高效能、低导通电阻以及快速的开关特性受到设计工程师的广泛好评。MOSFET 是金属氧化物半导体场效应晶体管,凭借其出色的电性能,成为现代电子设备中不可或缺的基础组件。 ZXT13N15DE6TA 的详细参数 ZXT13N15DE6TA 的主要电气参数包括: - 最大漏极-源极电压 (Vds):150V - 最大漏极电流 (Id):13A - 导通电阻 (Rds(on)):典型值在 0.15Ω 的范围内 - 输入电压 (Vgs):最大 ±20V - 开关时间 (Turn-On Time):约为 40ns - 关断时间 (Turn-Off Time):约为 28ns - 最大功耗 (Pd):75W - 工作温度范围 (Tj):...

产品型号ZXT13N15DE6TA的Datasheet PDF文件预览

ZXT13N15DE6  
SuperSOT4™  
15V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR  
SUMMARY  
VCEO=15V; RSAT = 29m ; IC= 5A  
DESCRIPTION  
This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex  
matrix structure combined with advanced assembly techniques to give  
extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low  
voltage switching applications.  
SOT23-6  
FEATURES  
Extremely Low Equivalent On Resistance  
Extremely Low Saturation Voltage  
hFE characterised up to 15A  
IC=5A Continuous Collector Current  
SOT23-6 package  
APPLICATIONS  
DC - DC Converters  
Power Management Functions  
Power switches  
Motor control  
C
C
B
C
C
E
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL SIZE  
(inches)  
TAPE WIDTH  
(mm)  
QUANTITY  
PER REEL  
ZXT13N15DE6TA  
ZXT13N15DE6TC  
7
8mm embossed  
8mm embossed  
3000 units  
10000 units  
Top View  
13  
DEVICE MARKING  
N15D  
ISSUE 1 - DECEMBER 1999  
1
ZXT13N15DE6  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
40  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
15  
V
7.5  
15  
V
I
I
I
A
CM  
Continuous Collector Current  
Base Current  
5
A
C
B
500  
mA  
Power Dissipation at TA=25°C (a)  
Linear Derating Factor  
P
1.1  
8.8  
W
mW/°C  
D
Power Dissipation at TA=25°C (b)  
Linear Derating Factor  
P
1.7  
13.6  
W
mW/°C  
D
Operating and Storage Temperature Range  
T :T  
-55 to +150  
°C  
j
stg  
THERMAL RESISTANCE  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Junction to Ambient (a)  
Junction to Ambient (b)  
R
R
113  
73  
°C/W  
°C/W  
θJA  
θJA  
NOTES  
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,  
in still air conditions  
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at tр5 secs.  
ISSUE 1 - DECEMBER 1999  
2
ZXT13N15DE6  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
10  
1
DC  
1s  
100ms  
10ms  
1ms  
100m  
100µs  
Single Pulse Tamb=25°C  
10m  
100m  
1
10  
0
20  
40  
60  
80  
100 120 140 160  
VCE Collector-Emitter Voltage (V)  
Temperature (°C)  
Safe Operating Area  
Derating Curve  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
D=0.5  
D=0.2  
Single Pulse  
D=0.05  
D=0.1  
100µ  
1m  
10m 100m  
1
10  
100  
1k  
Pulse Width (s)  
Transient Thermal Impedance  
ISSUE 1 - DECEMBER 1999  
3
ZXT13N15DE6  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V
V
V
40  
15  
7.5  
85  
V
I =100A  
(BR)CBO  
(BR)CEO  
C
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
22  
V
I =10mA*  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
8.5  
V
I =100A  
E
(BR)EBO  
CBO  
I
I
I
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
V
V
V
=32V  
=6V  
CB  
Emitter Cut-Off Current  
EBO  
EB  
Collector Emitter Cut-Off Current  
=32V  
CES  
CES  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
V
5.0  
8
70  
190  
200  
mV  
mV  
mV  
mV  
I =0.1A, I =10mA*  
C B  
CE(sat)  
45  
130  
145  
I =1A, I =10mA*  
C B  
I =4A, I =40mA*  
C B  
I =5A, I =100mA*  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Turn-On Voltage  
V
V
h
1.0  
0.9  
V
V
I =5A, I =100mA*  
C B  
BE(sat)  
BE(on)  
FE  
I =5A, V =2V*  
C
CE  
Static Forward Current Transfer  
Ratio  
250  
300  
200  
20  
400  
450  
300  
50  
I =10mA, V =2V*  
C CE  
900  
I =1A, V =2V*  
C CE  
I =5A, V =2V*  
C
CE  
I =15A, V =2V*  
C
CE  
Transition Frequency  
f
72  
MHz  
I =50mA, V =10V  
T
C
CE  
f=50MHz  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
C
76  
92  
pF  
ns  
ns  
V
=10V, f=1MHz  
CB  
obo  
(on)  
(off)  
t
t
V
=10V, I =3A  
CC C  
=I =60mA  
I
B1 B2  
Turn-Off Time  
340  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
ISSUE 1 - DECEMBER 1999  
4
ZXT13N15DE6  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
0.25  
IC/IB=50  
Tamb=25°C  
IC/IB=100  
100°C  
25°C  
100m  
10m  
1m  
0.20  
0.15  
0.10  
0.05  
0.00  
IC/IB=50  
-55°C  
IC/IB=10  
1m  
10m  
100m  
1
10  
1m  
10m  
100m  
1
10  
IC Collector Current (A)  
IC Collector Current (A)  
VCE(SAT) v IC  
VCE(SAT) v IC  
VCE=2V  
IC/IB=50  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
100°C  
-55°C  
25°C  
25°C  
-55°C  
100°C  
1m  
10m  
100m  
1
10  
1m  
10m  
100m  
1
10  
IC Collector Current (A)  
IC Collector Current (A)  
hFE v IC  
VBE(SAT) v IC  
VCE=2V  
-55°C  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
25°C  
100°C  
1m  
10m  
100m  
1
10  
IC Collector Current (A)  
VBE(ON) v IC  
ISSUE 1 - DECEMBER 1999  
5
ZXT13N15DE6  
PACKAGE DIMENSIONS  
PAD LAYOUT DETAILS  
b
e
2
L
E1  
E
DATUM A  
a
e1  
D
A
A2  
A1  
DIM Millimetres  
Inches  
Min  
Min  
Max  
1.45  
0.15  
1.30  
0.50  
0.20  
3.00  
3.00  
1.75  
0.60  
Max  
A
0.90  
0.35  
0.057  
0.006  
0.051  
0.019  
0.008  
0.118  
0.118  
0.069  
0.002  
A1  
A2  
b
0.00  
0
0.90  
0.035  
0.014  
0.0035  
0.110  
0.102  
0.059  
0.004  
0.35  
C
0.09  
D
2.80  
E
2.60  
E1  
L
1.50  
0.10  
e
0.95 REF  
1.90 REF  
0°  
0.037 REF  
0.074 REF  
0°  
e1  
L
10°  
10°  
Zetex plc.  
Fields New Road, Chadderton, Oldham, OL9-8NP, United Kingdom.  
Telephone: (44)161 622 4422 (Sales), (44)161 622 4444 (General Enquiries)  
Fax: (44)161 622 4420  
Zetex GmbH  
Zetex Inc.  
Zetex (Asia) Ltd.  
3510 Metroplaza, Tower 2  
Hing Fong Road,  
Kwai Fong, Hong Kong  
Telephone:(852) 26100 611  
Fax: (852) 24250 494  
These are supported by  
Streitfeldstraße 19  
D-81673 München  
Germany  
Telefon: (49) 89 45 49 49 0  
Fax: (49) 89 45 49 49 49  
47 Mall Drive, Unit 4  
Commack NY 11725  
USA  
Telephone: (516) 543-7100  
Fax: (516) 864-7630  
agents and distributors in  
major countries world-wide  
© Zetex plc 1999  
Internet:http://www.zetex.com  
This publication is issued to provide outline information only which (unless agreed by the Company in writing) may not be used, applied or reproduced for  
any purpose or form part of any order or contract or be regarded as a representation relating to the products or services concerned. The Company reserves  
the right to alter without notice the specification, design, price or conditions of supply of any product or service.  
ISSUE 1 - DECEMBER 1999  
6
配单直通车
ZXT13N15DE6TA产品参数
型号:ZXT13N15DE6TA
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ZETEX PLC
包装说明:SOT-23, 6 PIN
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.33
最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.7 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):72 MHz
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
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