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  • 深圳市华来深电子有限公司

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产品型号ZXTN25012EFHTA的概述

芯片ZXTN25012EFHTA的概述 ZXTN25012EFHTA是一款高电流场效应管(FET),广泛应用于电源管理、开关电源和其他需要高效电流控制的电路中。它在功率电子领域中得到了广泛的关注,因其优异的性能和适应性。此芯片的主要特点包括低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性,使得它适合用于各种电子设备和系统,能够满足日益增长的高效能电源需求。 该芯片的常见应用场景包括计算机电源、LED驱动电源、以及电动工具的电源管理系统等。其典型的特性使得ZXTN25012EFHTA在功率放大器和消费性电子产品中具有一定的竞争优势。 芯片ZXTN25012EFHTA的详细参数 ZXTN25012EFHTA的关键技术参数包括输出电流、漏极到源极电压、导通电阻、开关时间等。具体来说,该芯片的主要技术参数如下: - 输出电流(I_D):最大可达12A - 漏极-源极电压(V_DS):最大耐压为50V ...

产品型号ZXTN25012EFHTA的Datasheet PDF文件预览

ZXTN25012EFH  
12V, SOT23, NPN medium power transistor  
Summary  
BV  
BV  
> 12V  
> 6V  
CEO  
ECX  
h
> 500  
FE  
I
= 6A  
C(cont)  
V
< 32mV @ 1A  
= 23m  
CE(sat)  
CE(sat)  
R
P = 1.25W  
D
Description  
C
E
Advanced process capability and package design have been used to  
maximize the power handling and performance of this small outline  
transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally  
suited to applications where space is at a premium.  
B
Features  
High power dissipation SOT23 package  
High peak current  
Very high gain  
Low saturation voltage  
6V reverse blocking voltage  
E
B
Applications  
C
MOSFET gate drivers  
Power switches  
Motor control  
Pinout - top view  
DC fans  
DC-DC converters  
Ordering information  
Device  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity per reel  
ZXTN25012EFHTA  
7
8
3,000  
Device marking  
1C3  
Issue 3 - March 2008  
© Zetex Semiconductors plc 2008  
1
www.zetex.com  
ZXTN25012EFH  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
20  
V
CBO  
Collector-emitter voltage  
12  
6
V
V
V
A
A
A
CEO  
Emitter-collector voltage (reverse blocking)  
Emitter-base voltage  
V
V
ECX  
7
EBO  
(c)  
I
I
6
C
Continuous collector current  
Base current  
1
B
Peak pulse current  
I
15  
CM  
(a)  
P
P
P
P
0.73  
5.84  
W
mW/°C  
D
D
D
D
Power dissipation at T  
Linear derating factor  
=25°C  
=25°C  
=25°C  
=25°C  
amb  
amb  
amb  
amb  
(b)  
(c)  
(d)  
1.05  
8.4  
W
mW/°C  
Power dissipation at T  
Linear derating factor  
1.25  
9.6  
W
mW/°C  
Power dissipation at T  
Linear derating factor  
1.81  
14.5  
W
mW/°C  
Power dissipation at T  
Linear derating factor  
Operating and storage temperature range  
T , T  
- 55 to 150  
°C  
j
stg  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
(a)  
R
R
R
R
171  
°C/W  
JA  
JA  
JA  
JA  
Junction to ambient  
(b)  
119  
100  
69  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Junction to ambient  
(c)  
Junction to ambient  
(d)  
Junction to ambient  
NOTES:  
(a) For a device surface mounted on 15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in  
still air conditions.  
(b)Mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.  
(c) Mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with a high coverage of single sided 2 oz copper in still air conditions.  
(d)As (c) above measured at t<5secs.  
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ZXTN25012EFH  
Characteristics  
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ZXTN25012EFH  
Electrical characteristics (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions  
Collector-base breakdown  
voltage  
BV  
20  
12  
7
40  
17  
V
V
V
V
I = 100A  
C
CBO  
CEO  
EBO  
ECX  
(*)  
Collector-emitter breakdown BV  
voltage (base open)  
I = 10mA  
C
Emitter-base breakdown  
voltage  
BV  
8.3  
8.0  
I = 100A  
E
Emitter-collector breakdown BV  
voltage (reverse blocking)  
6
I = 100A, R < 1kor  
E
BC  
> -0.25V  
0.25V > V  
BC  
Emitter-collector breakdown BV  
voltage (base open)  
4.5  
5.5  
<1  
V
I = 100A,  
E
ECO  
Collector-base cut-off current I  
50  
0.5  
nA  
A  
V
V
= 20V  
= 20V, T  
CBO  
CB  
CB  
= 100°C  
amb  
Emitter-base cut-off current  
I
<1  
28  
50  
32  
nA  
V
= 5.6V  
EBO  
EB  
(*)  
Collector-emitter saturation  
voltage  
V
mV  
CE(sat)  
I = 1A, I = 100mA  
C
B
(*)  
45  
60  
55  
75  
mV  
mV  
mV  
I = 1A, I = 10mA  
C
B
(*)  
I = 2A, I = 40mA  
C
B
(*)  
(*)  
160  
920  
190  
I = 6A, I = 120mA  
C
B
Base-emitter saturation  
voltage  
V
V
1000 mV  
BE(sat)  
I = 6A, I = 120mA  
C
B
(*)  
Base-emitter turn-on voltage  
800  
800  
750  
460  
55  
900  
mV  
BE(on)  
FE  
I = 6A, V = 2V  
C
CE  
(*)  
Static forward current  
transfer ratio  
h
500  
500  
300  
40  
1500  
I = 10mA, V = 2V  
C
CE  
(*)  
I = 1A, V = 2V  
C
CE  
(*)  
I = 4A, V = 2V  
C
CE  
(*)  
I = 15A, V = 2V  
C
CE  
Transition frequency  
Output capacitance  
f
260  
MHz I = 50mA, V = 10V  
T
C
CE  
f = 100MHz  
(*)  
C
25.6  
35  
pF  
OBO  
V
V
= 10V, f = 1MHz  
= 10V.  
CB  
CC  
Delay time  
Rise time  
t
t
t
t
70.9  
69.8  
233  
ns  
ns  
ns  
ns  
d
I = 1A,  
C
r
s
f
I
= I = 10mA.  
B2  
B1  
Storage time  
Fall time  
71.6  
NOTES:  
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300s; duty cycle Յ2%.  
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ZXTN25012EFH  
Typical characteristics  
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ZXTN25012EFH  
Package outline - SOT23  
E
e
e1  
b
3 leads  
D
L1  
E1  
A
L
c
A1  
Dim.  
Millimeters  
Min. Max.  
Inches  
Dim.  
Millimeters  
Inches  
Min. Max.  
0.075 NOM  
Min.  
-
Max.  
0.044  
0.004  
0.020  
0.008  
0.120  
Min.  
Max.  
A
A1  
b
-
1.12  
0.10  
0.50  
0.20  
3.04  
e1  
E
1.90 NOM  
0.01  
0.30  
0.085  
2.80  
0.0004  
0.012  
0.003  
0.110  
2.10  
1.20  
0.25  
0.45  
-
2.64  
1.40  
0.60  
0.62  
-
0.083  
0.047  
0.104  
0.055  
E1  
L
c
0.0098 0.0236  
D
e
L1  
-
0.018  
-
0.024  
-
0.95 NOM  
0.037 NOM  
Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches  
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Asia Pacific  
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Zetex Inc  
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3701-04 Metroplaza Tower 1  
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配单直通车
ZXTN25012EFHTA产品参数
型号:ZXTN25012EFHTA
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
零件包装代码:SOT-23
包装说明:SOT-23, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.21
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.81 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):260 MHz
Base Number Matches:1
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