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APM2801BC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

APM2801BC-TRL图片预览
型号: APM2801BC-TRL
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内容描述: P沟道增强型MOSFET与肖特基二极管 [P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 11 页 / 606 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2801B
Typical Characteristics (Cont.)
Output Characteristics
10
V
GS
= -3 thru -10V
8
-2V
-2.5V
Drain-Source On Resistance
0.28
V
GS
= -2.5V
0.24
R
DS(ON)
- On - Resistance (Ω)
-I
D
- Drain Current (A)
0.20
6
0.16
V
GS
= -4.5V
4
0.12
2
0.08
0
0
1
2
3
4
0.04
0
2
4
6
8
10
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-I
D
- Drain Current (A)
Transfer Characteristics
6
Gate Threshold Voltage
1.8
1.6
I
DS
= -250
µ
A
Normalized Threshold Voltage
5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
-I
D
- Drain Current (A)
4
3
2
T
j
=-55 C
T
j
=25 C
T
j
=125 C
o
o
o
1
0
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
0
25
50
75 100 125 150
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Copyright
©
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.4 - Jun., 2005
5
www.anpec.com.tw