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APM3020P 参数 Datasheet PDF下载

APM3020P图片预览
型号: APM3020P
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 624 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM3020P
Typical Characteristics
Output Characteristics
50
V
GS
=4,5,6,7,8,9,10V
Transfer Characteristics
50
-I
DS
-Drain Current (A)
30
20
-I
DS
-Drain Current (A)
40
40
30
V
GS
=3V
20
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
10
V
GS
=2.5V
10
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
-Drain-to-Source Voltage (V)
-V
GS
-Gate-to-Source Voltage (V)
Threshold Voltage vs. Junction Temperature
1.50
-I
DS
=250µA
On-Resistance vs. Drain Current
0.035
-V
GS(th)
-Threshold Voltage (V)
(Normalized)
R
DS(ON)
-On-Resistance (Ω)
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
0.030
-V
GS
=5V
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
-V
GS
=10V
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
5
10
15
20
25
30
T
j
-Junction Temperature (°C)
-I
DS
-Drain Current (A)
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - July., 2002
3
www.anpec.com.tw