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APM4953 参数 Datasheet PDF下载

APM4953图片预览
型号: APM4953
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内容描述: 双P沟道增强型MOSFET [Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 219 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4953
Typical Characteristics (Cont.)
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
10

Single Pulse Power
50

-I
S
-Source Current (Α)
40
Power (W)
30
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C

20
10
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
0
0.01
0.1
1
10
100
-V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V )

Time (sec)
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
2

Normalized Effective Transient
Thermal Impedance
1
Duty Cycle = 0.5
D= 0.2
D= 0.1
0.1
D= 0.05
D= 0.02
SINGLE PULSE
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.Surface Mounted
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
Square Wave Pulse Duration (sec)
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.2 - Feb., 2003
5
www.anpec.com.tw