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APM2306A 参数 Datasheet PDF下载

APM2306A图片预览
型号: APM2306A
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 115 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2306A
典型特征
功耗
1.0
0.9
0.8
3.0
0.7
4.0
3.5
漏电流
I
D
- 漏电流( A)
P
合计
- 功率(W )
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T
A
= 25℃ ,V
G
=10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
50
2
1
瞬态热阻抗
I
D
- 漏电流( A)
)L
im
10
on
s(
占空比= 0.5
0.2
0.1
it
300
µ
s
1ms
Rd
0.1
0.05
0.02
0.01
1
10ms
0.1
100ms
0.01
单脉冲
1s
DC
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
o
1
10
100
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 150℃ / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 月, 2005年
4
www.anpec.com.tw