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APM2306A 参数 Datasheet PDF下载

APM2306A图片预览
型号: APM2306A
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 115 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2306A
典型特征(续)
输出特性
14
12
10
8
6
4
2
3V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 5, 6, 7, 8, 9, 10V
120
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
100
I
D
- 漏电流( A)
80
V
GS
=5V
60
V
GS
=10V
40
4V
20
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
I
D
- 漏电流( A)
传输特性
14
栅极阈值电压
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
I
DS
=250
µΑ
I
D
- 漏电流( A)
10
8
6
4
T
J
=125 C
T
J
=25 C
o
o
2
T
J
=-55 C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
o
归一化阈值电压
12
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 月, 2005年
5
www.anpec.com.tw