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APM2306A 参数 Datasheet PDF下载

APM2306A图片预览
型号: APM2306A
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 115 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2306A
典型特征(续)
漏源导通电阻
2.0
1.8
V
GS
= 10V
I
DS
= 3.5A
10
20
源极 - 漏极二极管的正向
归一化导通电阻
1.6
I
S
- 源电流( A)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
R
ON
@T
j
= 25℃ : 42米
0
25
50
75
100 125 150
o
T
J
=150 C
o
T
J
=25 C
o
1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
j
- 结温( ° C)
V
SD
- 源 - 漏极电压( V)
电容
600
Frequency=1MHz
10
V
DS
= 15V
I
D
= 3.5A
栅极电荷
V
GS
- 门 - 源极电压( V)
500
西塞
8
Ç - 电容(pF )
400
6
300
4
200
科斯
100
2
CRSS
0
0
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
Q
G
- 栅极电荷( NC)
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 月, 2005年
6
www.anpec.com.tw