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AS8F512K32P-70/CT 参数 Datasheet PDF下载

AS8F512K32P-70/CT图片预览
型号: AS8F512K32P-70/CT
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内容描述: 512K ×32的FLASH快闪存储器阵列 [512K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 12 页 / 243 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
VCC电源相对于Vss .....................- 1V至+ 7V电压
储存温度..........................................- 65 ° C至+ 150℃
短路输出电流(每个I / O) ............................... 20毫安
任何引脚相对于Vss ..................- 。 5V至Vcc + 1V电压
最高结温** ............... + 175℃
*强调高于绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
AS8S128K32
这是一个额定值只和功能的操作上
器件在这些或以上的任何其他条件表示
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型,周期时间,
负载,环境温度和空气流。看到应用程序
在此数据表的末尾如需更多信息,部分信息
息。
电气特性和建议的直流工作条件
( -55 ° C<TA<125 ℃; VCC = 5V ± 10 % )

  

 

   





   



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(* * +*,-
( ) 

) 



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/






/

µΑ
µΑ
µΑ








/
最大
-20
-25
600
560






参数
电源电流:
操作
条件
CE \\ <V
IL
; V
CC
μMAX
F = MAX = 1 /吨
RC
(分钟)
输出打开
CE \\ >V
IH
; V
CC
μMAX
F = MAX = 1 /吨
RC
(分钟)
输出打开
CE \\ OE ​​= \\ = V
IH
;
CMOS兼容; V
CC
=最大
F = 5兆赫
符号
I
cc
-15
700
-17
650
-35
520
-45
500
单位备注
mA
3, 13
(1)
I
SBT1
280
220
200
180
160
150
mA
(1)
I
SBT2
100
80
80
60
60
60
mA
(1)
电源电流:
待机
CE \\ > V
cc
-0.2V ; VCC = MAX
V
IL
& LT ; V
ss
+0.2V;
V
IH
& GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
CE \\ >的Vcc -0.2V ; VCC = MAX
V
IL
< VSS + 0.2V ;
V
IH
>的Vcc -0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
I
SBC1
40
40
40
40
40
40
mA
(2)
I
SBC2
24
24
24
24
24
24
mA
(2)
注意:
1)地址开关顺序A,A + 1 , A + 2 ,等等。
2)1/2输入在高电平时, 1/2输入在低电平。
AS8S128K32
修订版4.0 5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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