SRAM
奥斯汀半导体公司
电容表
(V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C)
符号
C
添加
C
OE
C
WE ，
C
CE
C
IO
参数
A0 - A18电容
OE \\电容
WE \\和CE \\电容
I / O 0〜 I / O容量31
最大
40
40
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
笔记
4
4
4
4
AS8S128K32
真值表
模式
读
写
待机
未选择
OE \\
L
X
X
H
CE \\
L
L
H
L
WE \\
H
L
X
H
I / O
Q
D
高Z
高Z
动力
活跃
活跃
待机
活跃
AC测试条件
测试规范
输入脉冲电平........................................ VSS到3V
输入上升和下降时间为5ns ..........................................
输入时序参考电平1.5V .................................
输出参考电平1.5V ........................................
输出负载.............................................参见图1
VZ = 1.5V
（双极
SUPPLY ）
I
OL
电流源
设备
下
TEST
-
+
+
CEFF = 50pF的
电流源
I
OH
注意事项：
VZ是可编程从-2V至+ 7V 。
I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载
电路。
图1
AS8S128K32
修订版4.0 5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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