SRAM
奥斯汀半导体公司
笔记
1.所有电压参考V
SS
（GND）。
2. -3V脉冲宽度<20ns 。
3. I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
1
开，并且f =
H
Z.
t
RC （分钟）
4.该参数进行采样。
5.试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 ，除非另有说明。
6. t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5pF的
如在图2.转换测量+/- 200 mV的
典型的稳态coltage ，允许实际
测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
，小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
.
8.
？ W / ë
为高的读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和输出
使他们的工作状态保持。
10.地址有效之前或暗合最新发生的
芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ ？ C / E）和写使能（ ？ W / E）可以启动和
结束一个写周期。
13. 32位操作
AS8S128K32
数据保存电气特性
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
条件
CE \\ > V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 3V
符号
V
DR
I
CCDR
I
CCDR
t
CDR
t
R
民
2
--
--
0
t
RC
最大
--
6
11.6
--
单位
V
mA
mA
ns
ns
4
4, 11
笔记
低V
CC
数据保存波形
数据保持方式
VDR
>2V
VCC
TCDR
V
IH
4.5V
4.5V
tR
VDR
CE \\
V
IL
AS8S128K32
修订版4.0 5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
