SRAM
奥斯汀半导体公司
AS8S128K32
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
° C≤TA≤125 ℃; VCC = 5V ± 10 ％ ）
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-17
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
RC
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
t
t
t
15
15
15
2
2
7
0
15
6
0
6
15
12
12
0
1
12
12
8
1
2
1
1
17
17
17
2
2
8
0
17
7
0
7
17
12
12
0
1
12
12
9
1
2
7
1
1
20
20
20
2
2
9
0
20
7
0
7
20
15
15
0
1
15
15
10
1
2
9
10
25
25
25
2
2
10
0
25
8
0
9
25
17
17
0
1
17
17
12
1
2
11
35
35
35
2
2
14
0
35
12
0
12
35
20
20
0
1
20
20
15
1
2
14
45
45
45
2
2
15
0
45
12
0
12
45
22
22
0
1
20
20
15
1
2
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 6, 7
4, 6, 7
4
4
4, 6
4, 6, 7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
WC
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
t
WP1
WP2
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
4, 6, 7
4, 6, 7
注意事项：
1 ）对于OE \\ = HIGH状态。对于OE \\ = LOW条件
t
WP1 =
t
WP2 = 15 ns（最小值） 。
AS8S128K32
修订版4.0 5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
