奥斯汀半导体公司
超前信息
奥斯汀半导体公司
设备操作
该
AS8nvLC512K32
的nvSRAM是由两个功能
部件配对在相同的物理单元中。他们是
一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该SRAM
存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。在数据
SRAM被转移至非易失性的细胞（对STORE操作） ，
或从非易失性细胞到SRAM （该RECALL操作）。
使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和回顾
平行。在STORE和RECALL操作， SRAM读
和写操作被禁止。该
AS8nvLC512K32
支持
无限的读取和写入操作类似于典型的SRAM 。此外，它
提供了无限的RECALL操作的非易失性单元和
高达200K的存储操作。见真值表SRAM
操作的读写模式下的完整描述。
AS8nvLC512K32
NVSRAM
自动存储操作。请参阅DC电气特性
对于V的大小
帽
。上的电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。上拉应放在WE \\举行
它在上电期间无效。这种上拉才有效，如果WE \\
信号是在上电期间三态。许多主控板三态的
上电时的控制。这应该采用拉时进行验证
了。当的nvSRAM出来上电召回的MPU
必须是活动或WE \\举行非活动状态，直到MPU出来的
复位。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和硬件
存储操作被忽略，除非至少有一个写操作
自最近一次存储或调用循环发生。软件
开始的存储周期，无论是否进行写操作
操作已经发生。在HSB \\信号由监测
系统检测是否自动存储周期正在进行中。
图2.自动存储模式
VCC
SRAM读
该
AS8nvLC512K32
执行一个读周期，当CE \\和OE \\是
低和WE \\和HSB \\是HIGH 。在针脚上指定的地址
A0-18确定其中的524,288个数据字节。当读出的是
通过地址转换开始时，输出延迟后有效
的t
AA
（读周期1） 。如果读通过CE \\或OE \\ ，输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期2 ） 。数据
重复输出响应地址内的T改变
AA
ACCESS
时间，而不需要任何控制输入引脚的过渡。这
保持有效，直到另一个地址变更，或直到CE \\或OE \\是
拉高，否则我们\\或HSB \\变为低电平。
0.1uF
10kOhm
VCC
WE
1-4
V
帽
SRAM写
写周期完成时， CE \\和WE \\低， HSB \\是
HIGH 。在进入之前写的地址输入必须保持稳定
周期，必须保持稳定，直到CE \\或WE \\变为高电平时结束
的怪圈。 DQ0-31都写在通用I / O引脚的数据
到存储器，如果数据有效吨
SD
的WE \\月底前
控制写入或CE \\控制写入结束前。这是
建议的OE \\被在整个写周期保持高电平
避免常见的I / O线数据总线争。如果OE \\保持低电平，
内部电路关断输出缓冲器tHZWE后，我们去\\
低。
V
SS
V
帽
硬件存储操作
该AS8nvLC512K32提供了HSB \\
6
引脚来控制和
确认存储操作。使用HSB \\销请求
五金店周期。当HSB引脚驱动为低电平时，
AS8nvLC512K32后，有条件地启动STORE操作
t
延迟
。实际STORE周期只有开始，如果在写SRAM具有
自上次存储或调用循环发生。在HSB \\销
也可以作为一个开漏驱动器的内部驱动为低电平
表明当存储（通过任何方式启动）处于忙碌状态
正在进行中。
SRAM的读写操作正在进行的时候是HSB
驱动至低电平以任何方式被给定时间之前完成
启动存储操作。经过HSB \\变为低电平时，
AS8nvLC512K32继续SRAM操作的tDELAY时间。如果一个写
正在进行时HSB \\被拉低已启用时，T
延迟
to
完整的。然而，任何SRAM写入周期之后的HSB \\请求
变低被禁止，直到HSB \\返回高电平。的情况下的写
闩锁没有被设置， HSB \\不是由AS8nvLC512K32驱动至低电平。
但是，任何SRAM的读写周期被禁止，直到HSB \\是
由MPU或其他外部来源HIGH返回。
在任何商店的操作，不管它是如何开始的
AS8nvLC512K32继续推动HSB \\引脚为低电平，释放它
只有当存储完成。当存储操作
完成后， AS8nvLC512K32仍然禁止，直到HSB \\
引脚为高电平。离开HSB \\未连接，如果不使用..
自动存储操作
该
AS8nvLC512K32
商店使用的一个数据到的nvSRAM
以下三种存储操作：硬件存储由HSB \\启动;
软件商店由一个地址序列激活;自动存储在设备上
断电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
AS8nvLC512K32.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储的电荷是
所使用的芯片来执行单个STORE操作。如果电压
在V
CC
引脚低于V
开关
，部分自动断开
在V
帽
引脚从V
CC
。启动电源存储操作
由V提供
帽
电容。
图2显示了存储电容器的正确连接（Ⅴ
帽
)
AS8nvLC512K32
修订版0.0 08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
