奥斯汀半导体公司
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硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功耗状态（ VCC<
VSWITCH ） ，一个内部调出请求被锁定。当VCC
再次超过VSWITCH的感应电压，召回周期
自动启动，并采取tHRECALL完成。中
这个时候， HSB由HSB驱动驱动为低电平。
AS8nvLC512K32
NVSRAM
软件商店
从SRAM中的数据传输到非易失性存储器，并具有
软件地址序列。该AS8nvLC512K32软件商店
循环是通过执行顺序的CE控制的读周期开始
从精确的六阶具体地址位置。在STORE
循环首先执行先前的非易失性数据的擦除，
其次是非易失性元件的一个程序。一个商店后
周期开始，进一步的输入和输出被禁用，直到
周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址被用于
商店起爆，没有其它读或写的访问是重要的
干预的顺序，或者序列被中止，没有商店
或者RECALL发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须被执行。
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取。后的序列中的第六个地址是
进入，店内周期开始和芯片被禁用。 HSB
被拉低。使用读周期，而不是写周期是很重要的
该序列中，尽管它是没有必要的操作环境是低的
有效的序列。经过tSTORE周期时间满足， SRAM
被再次用于读取和写入操作被激活。
软件RECALL
从非易失性存储器中的数据传送到与SRAM的
一个软件地址序列。软件RECALL周期开始
与读取操作中的情况的序列类似软件
STORE启动。要启动RECALL周期，以下
必须执行的CE控制的读操作序列。
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除;然后，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。后tRECALL循环时间，对SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作呢
不会改变的非易失性元件的数据。
模式选择
CE \\
1 4
H
L
L
L
WE \\
1 4
X
H
L
H
OE \\
13
X
L
X
L
A15 A0
7
X
X
X
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8B45
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
I / O
0 31
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
动力
待机
活跃
活跃
活跃
8
笔记
7.虽然有关于AS8nvLC512K32 19的地址线中，只有13个地址线（甲
14
- A
2
）被用于控制软件模式。地址休息
线不在乎。
8.六个连续的地址位置必须是在列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
13.WE \\必须在SRAM读周期高。
AS8nvLC512K32
修订版0.0 08/09
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4
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
