DRAM
奥斯汀半导体公司
符号
V
OH
参数
高电平输出电压
测试条件
I
OH
= -5mA
I
OL
= 4.2毫安
V
CC
= 5.5V, V
I
= 0V至6.5V ，所有
其他引脚= 0V至V
CC
V
CC
= 5.5V, V
O
= 0V至V
CC,
CAS \\高
V
CC
= 5.5V ，最小周期
经过1存储周期，
RAS \\和CAS \\高，
V
IH
= 2.4V
V
CC
= 5.5V ，最小周期，
RAS \\骑自行车，
CAS \\高（ RAS只\\） ，
RAS \\低CAS \\低后（ CBR ）
V
CC
= 5.5V ，T
PC
=最小，
RAS \\低， CAS \\自行车
SMJ44400
电气特性和推荐工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
-8
-10
-12
最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
2.4
2.4
2.4
V
0.4
±10
±10
85
4
0.4
±10
±10
80
4
0.4
±10
±10
70
4
V
µA
µA
mA
mA
V
OL
低电平输出电压
I
I
I
O
输入电流（泄漏）
输出电流（泄漏）
I
CC1
阅读 - 或写周期电流
1
I
CC2
待机电流
I
CC3
平均刷新电流
1
（ RAS只\\ ，或CBR \\ ）
85
75
65
mA
I
CC4
平均电流页面
2
50
40
35
mA
电容（ F = 1MHz的）
3
符号
C
I（A ）
C
I（ RC ）
C
I（ W）的
C
O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，输入频闪
输入电容，写使能输入
输出电容
最大
7
10
10
10
单位
pF
pF
pF
pF
开关特性
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
符号
t
AA
t
CAC
t
注册会计师
t
RAC
t
OEA
t
关闭
t
OEZ
参数
从列地址访问时间
从CAS访问时间\\低
从列预充电时间访问
从RAS访问时间\\低
从OE访问时间\\低
CAS \\高后输出禁止时间
OE \\高后输出禁止TIEM
4
4
-8
最大
40
20
45
80
20
20
20
-10
最大
45
25
50
100
25
25
25
-12
最大
55
30
55
120
30
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.衡量一个最大的地址变化，而RAS \\ = V的
IL
.
2.衡量一个最大的地址变化，而CAS \\ = V的
IH
.
3. V
CC
= 5V ±0.5V和被测引脚上的偏压为0V。电容仅在最初的设计和任何重大变更后采样。
4. t
关闭
和T
OEZ
当输出不再驱动指定。的输出通过使任一OE \\或CAS \\高禁用。
SMJ44400
2.0版本10/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
