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    CEG9926 参数 Datasheet PDF下载

    CEG9926图片预览
    型号： CEG9926
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 56 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CEG9926的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEG9926的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEG9926的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CEG9926的Datasheet PDF文件第5页  
    CEG9926
    2002年11月
    双N沟道增强型场效应晶体管
    特点
    20V ， 4.5A ，R
    DS （ ON）
    =30m
    Ω
    @V
    GS
    =4.5V.
    R
    DS （ ON）
    =40m
    Ω
    @V
    GS
    =2.5V.
    超级高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    高功率和电流移交能力。
    TSSOP - 8表面贴装封装。
    G
    2
    S
    2
    S
    2
    D
    2
    D
    1
    1
    S
    1
    2
    S
    1
    3
    G
    1
    4
    8
    D
    2
    7
    S
    2
    6
    S
    2
    5
    G
    2
    G
    1
    S
    1
    S
    1
    D
    1
    9
    TSSOP-8
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    a
    b
    -Pulsed
    漏源二极管的正向电流
    a
    最大功率耗散
    a
    工作结存储
    温度范围
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    -55到150
    极限
    20
    8
    4.5
    25
    1.7
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    C
    热特性
    热阻，结到环境
    a
    R
    JA
    125
    C / W
    9-17

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