CEG9926 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEG9926
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 56 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

CEG9926

电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

条件

= 0V ，是= 1.7A

最小典型最大单位

0.8

1.2

漏源二极管的特性

笔记

a.Surface安装在FR4板，T 10秒。

b.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

=4.5,3.5,2.5V

=2.0V

，漏电流（ A）

TJ = 125℃

0.0

0.5

1.5

25 C

-55 C

2.5

=1.5V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

，漏极至源极电压（ V）

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

DS （ ON）

归一化

DS （ ON）

导通电阻（欧姆）

600

500

西塞

图2.传输特性

1.80

1.60

1.40

1.20

1.00

0.80

0.60

-50 -25

100 125 150

=4.5A

=4.5V

C，电容（pF ）

400

科斯

300

200

100

CRSS

，漏极至源极电压（ V）

，结温（ C）

图3.电容

图4.导通电阻变化与

温度

9-19

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