CEG9926 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEG9926
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 56 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

CEG9926

1.40

1.20

1.00

0.80

0.60

0.40

-50 -25

75 100 125 150

=250 A

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.60

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

75 100 125 150

=250 A

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

图6.击穿电压变化

随温度

，跨导（ S）

=10V

是，源极 - 漏极电流（ A）

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，漏源电流（A ）

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

，漏电流（ A）

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

，门源电压（ V）

=10V

=4.5A

-1

-2

=25 C

TJ = 150℃

单脉冲

-1

10 12 14 16

-2

QG ，总栅极电荷（ NC）

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

9-20

图10.最大安全

工作区

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