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    CEG9926 参数 Datasheet PDF下载

    CEG9926图片预览
    型号： CEG9926
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 56 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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    CEG9926
    4
    V
    IN
    D
    V
    GS
    R
    根
    G
    90%
    V
    DD
    t
    on
    R
    L
    V
    OUT
    V
    OUT
    10%
    t
    关闭
    t
    r
    90%
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    90%
    10%
    t
    f
    倒
    S
    V
    IN
    50%
    10%
    50%
    脉冲宽度
    图11.开关测试电路
    图12.开关波形
    10
    0
    9
    D=0.5
    0.2
    R（T ） ，归一化有效
    瞬态热阻抗
    10
    -1
    0.1
    0.05
    0.02
    P
    DM
    t
    1
    t
    2
    1. R
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    JA
    2. R
    JA
    =请查阅技术资料
    3. T
    JM-
    T
    A
    = P * R
    JA
    (t)
    4.占空比D = T1 / T2
    10
    -3
    10
    -2
    0.01
    单脉冲
    10
    -3
    10
    -4
    10
    -2
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    方波脉冲持续时间（秒）
    图13.归瞬态热阻抗曲线
    9-21

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