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MTP658G6 参数 Datasheet PDF下载

MTP658G6图片预览
型号: MTP658G6
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 353 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech Electronics Corp.
Typical Characteristics(Cont.)
Typical Transfer Characteristics
30
V
DS
=10V
Spec. No. : C400G6
Issued Date : 2012.12.20
Revised Date :
Page No. : 5/9
Power Derating Curve
1.8
1.6
P
D
, Power Dissipation(W)
25
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Mounted on FR-4 board
with 1 in
²
pad area
-I
D
, Drain Current(A)
20
15
10
5
0
0
2
4
6
-V
GS
, Gate-Source Voltage(V)
8
0
20
40
60
80 100 120
T
A
, Ambient Temperature(℃)
140
160
Transient Thermal Response Curves
1
D=0.5
r(t), Normalized EffectiveTransient Thermal
Resistance
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
1.R
θ
JA
(t)=r(t)*R
θJA
2.Duty Factor, D=t
1
/t
2
3.T
JM
-T
A
=P
DM
*R
θ
JA
(t)
4.R
θJA
=78
°C/W
Single Pulse
0.001
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
t
1
, Square Wave Pulse Duration(s)
MTP658G6
CYStek Product Specification