BSS84S6R-0-T1-G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS84S6R-0-T1-G
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内容描述：	双P沟道MOSFET [Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 305 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

典型特征

典型的输出特性

600

500

-I

，漏极电流（毫安）

400

300

200

100

-V

，漏源电压（V ）

规格。编号： C465S6R

发行日期： 2012年12月25日

修订日期：

页页次： 3月8日

Brekdown电压随环境温度

1.4

-bv

DSS

归一化的漏 - 源

击穿电压

-V

=5V

-V

=4.5V

-V

=4V

-V

=3.5V

-V

=3V

-V

=2.5V

-V

=2V

=-250

=0V

1.2

0.8

0.6

-75 -50 -25

0 25 50 75 100 125 150 175

TJ ，结温（ ° C）

静态漏源通态电阻与漏电流

DS （ ON）

，静态漏源导通状态

电阻（Ω ）

反向漏电流与源极 - 漏极电压

1.2

-V

，源极 - 漏极电压（ V）

0.8

0.6

0.4

0.2

Tj=150°C

=0V

Tj=25°C

-V

=10V

0.001

0.01

0.1

-I

，漏电流（ A）

静态漏源通态电阻与栅源

电压

-V

=3V

-V

=5V

0.1

0.2

0.3

0.4

-I

，反向漏电流（ A）

漏源通态电阻与结Tempearture

0.5

DS （ ON）

，归一化静态漏极 -

源通态电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

-60

-20

= -10V ，我

=-100mA

= -5V ，我

=-100mA

DS （ ON）

，静态漏源开 -

态电阻（ Ω ）

-V

，栅源电压（ V）

=-100mA

=-30mA

100

140

TJ ，结温（ ° C）

180

BSS84S6R

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