BSS84S6R-0-T1-G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS84S6R-0-T1-G
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内容描述：	双P沟道MOSFET [Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 305 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

典型特征（续）

典型的传输特性

500

450

400

-I

，漏极电流（毫安）

350

300

250

200

150

100

-V

，栅源电压（ V）

规格。编号： C465S6R

发行日期： 2012年12月25日

修订日期：

页页次： 5/8

功率降额曲线

0.4

，功耗（ W）

-V

=10V

单身

0.3

0.2

双

0.1

安装在FR- 4电路板

1平方英寸面积垫

80 100 120

，环境温度（ ℃ ）

140

160

瞬态热响应曲线

D=0.5

归一化瞬态热阻

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

1.R

（吨） = R （t）的R *

θJA

2.Duty因子，D = T

3.T

-T

(t)

4.R

θJA

=415

° C / W

单脉冲

0.001

1.E-04

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

1.E+01

1.E+02

1.E+03

，方波脉冲持续时间（ S）

BSS84S6R

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