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BSS84S6R-0-T1-G 参数 Datasheet PDF下载

BSS84S6R-0-T1-G图片预览
型号: BSS84S6R-0-T1-G
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内容描述: 双P沟道MOSFET [Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 305 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
SOT- 363 DIMENSION
标记:
规格。编号: C465S6R
发行日期: 2012年12月25日
修订日期:
页页次: 8/8
PD
日期
CODE
6引脚SOT- 363R塑料
表面贴装封装
CYStek包装代码: S6R
风格:
引脚1源1 ( S1 )
引脚2 GATE1 ( G1 )
引脚3 Drain2 ( D2 )
引脚4源2 ( S2 )
销5 GATE2 ( G2)中
脚6 Drain1 (D1)的
暗淡
A
A1
A2
b
c
D
E
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.900
1.100
0.000
0.100
0.900
1.000
0.150
0.350
0.080
0.150
2.000
2.200
1.150
1.350
英寸
分钟。
马克斯。
0.035
0.043
0.000
0.004
0.035
0.039
0.006
0.014
0.003
0.006
0.079
0.087
0.045
0.053
暗淡
E1
e
e1
L
L1
θ
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.150
2.450
0.650 TYP
1.200
1.400
0.525 REF
0.260
0.460
英寸
分钟。
马克斯。
0.085
0.096
0.026典型值
0.047
0.055
0.021 REF
0.010
0.018
注意事项: 1
.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
导语:纯锡电镀。
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0 。
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BSS84S6R
CYStek产品规格
XX