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EDS2516APTA-75L 参数 Datasheet PDF下载

EDS2516APTA-75L图片预览
型号: EDS2516APTA-75L
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内容描述: 256M位的SDRAM [256M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 53 页 / 649 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS2516APTA
DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output high voltage
Output low voltage
Symbol
ILI
ILO
VOH
VOL
min.
–1
–1.5
2.4
max.
1
1.5
0.4
Unit
µA
µA
V
V
Test condition
0
VIN
VDD
0
VOUT
VDD, DQ = disable
IOH = –4 mA
IOL = 4 mA
Note
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V)
Parameter
Input capacitance
Symbol
CI1
CI2
CI/O
Pins
CLK
min.
2.5
Typ
max.
3.5
3.8
6.5
Unit
pF
pF
pF
Notes
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
Address, CKE, /CS, /RAS,
2.5
/CAS, /WE, UDQM and LDQM
DQ
4
EO
Notes: 1.
2.
3.
4.
Data Sheet E0359E20 (Ver. 2.0)
Data input/output capacitance
Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
Measurement condition: f = 1MHz, 1.4V bias, 200mV swing.
UDQM and LDQM = VIH to disable DOUT.
This parameter is sampled and not 100% tested.
L
od
Pr
t
uc
6