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HM5117805TS-7 参数 Datasheet PDF下载

HM5117805TS-7图片预览
型号: HM5117805TS-7
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内容描述: 16M的EDO DRAM (2- Mword ×8位)的2千刷新 [16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 32 页 / 539 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5117805 Series
EO
Parameter
Parameter
EDO Page Mode Cycle
HM5117805
-5
Symbol
t
HPC
t
RASP
t
CPA
Min Max
20
28
3
7
5
28
-6
Min Max
25
-7
Min Max
30
Unit
ns
Notes
19
16
9, 17
EDO page mode cycle time
EDO page mode
RAS
pulse width
Access time from
CAS
precharge
100000 —
28
35
3
10
5
35
100000 —
35
40
3
13
5
40
100000 ns
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
RAS
hold time from
CAS
precharge t
CPRH
Output data hold time from
CAS
low t
DOH
CAS
hold time referred
OE
CAS
to
OE
setup time
t
COL
Read command hold time from
CAS
t
RCHC
precharge
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle
HM5117805
-5
-6
Min
68
54
Max
-7
Min
79
62
Max
Unit
ns
ns
14
Notes
EDO page mode read- modify-write t
HPRWC
cycle time
WE
delay time from
CAS
precharge t
CPW
LP
t
COP
Symbol
t
REF
t
REF
9, 17
ro
Min
Max
57
45
32
du
Max
Unit
ms
ms
128
Refresh
Parameter
Refresh period
Refresh period (L-version)
Symbol
Note
2048 cycles
2048 cycles
ct
Data Sheet E0156H10
11