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HM5164805FTT-5 参数 Datasheet PDF下载

HM5164805FTT-5图片预览
型号: HM5164805FTT-5
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内容描述: 64男EDO DRAM ( 8 Mword × 8位)为8K刷新/ 4K的刷新 [64 M EDO DRAM (8-Mword × 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 34 页 / 220 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5164805F Series, HM5165805F Series
Write Cycle
EO
Parameter
Write command setup time
Write command hold time
Write command pulse width
Write command to
RAS
lead time
Write command to
CAS
lead time
Data-in setup time
Data-in hold time
HM5164805F/HM5165805F
-5
Symbol
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
Min
0
8
8
13
8
0
8
Max
-6
Min
0
10
10
15
10
0
10
Max
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
15
Notes
14
Read-Modify-Write Cycle
L
t
DH
Symbol
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
Symbol
t
CSR
t
CHR
t
WRP
t
WRH
t
RPC
o
Pr
HM5164805F/HM5165805F
-5
-6
Min
Max
Min
116
67
30
42
13
140
79
34
49
15
HM5164805F/HM5165805F
-5
-6
Min
5
8
0
8
5
Max
Min
5
10
0
10
5
Data Sheet E0098H10
Parameter
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
OE
hold time from
WE
Max
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
14
14
14
du
Max
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
Refresh Cycle
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle)
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
WE
setup time (CBR refresh cycle)
WE
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Notes
ct
13