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    EDX5116ADSE-3C-E 参数 Datasheet PDF下载

    EDX5116ADSE-3C-E图片预览
    型号： EDX5116ADSE-3C-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512M比特DRAM XDR⑩ [512M bits XDR™ DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 78 页 / 3518 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第27页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第28页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第29页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第30页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第32页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第33页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第34页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第35页  
    EDX5116ADSE
    图13
    传播延迟
    XDR DRAM
    T
    0
    CFM
    CFMN
    RQ11..0
    DQ15..0
    DQN15..0
    WR
    a0
    RD
    b0
    WR
    c0
    Q(b0)
    T
    1
    T
    2
    T
    3
    T
    4
    T
    5
    T
    6
    T
    7
    T
    8
    T
    9
    T
    10
    T
    11
    T
    12
    T
    13
    T
    14
    T
    15
    T
    16
    T
    17
    T
    18
    T
    19
    T
    20
    T
    21
    T
    22
    T
    23
    t
    周期
    t
    CWD
    D(c0)
    t
    ΔWR
    t
    CWD
    D(a0)
    t
    ΔRW
    t
    CAC
    t
    CC
    t
    WR- BUB ， XDRDRAM
    交易一： WR
    事务B ： RD
    交易C： WR
    A0 = { BA，所含CaO }
    B0 = { BB， CB0 }
    C0 = { BC ， CC0 }
    t
    CC
    t
    RW - BUB ， XDRDRAM
    写 - 读 - 写在
    XDR DRAM
    （图12的顶部和底部的时序图的部分合并）
    调节器
    CFM
    CFMN
    RQ11..0
    DQ15..0
    DQN15..0
    T
    0
    T
    1
    T
    2
    T
    3
    T
    4
    T
    5
    T
    6
    T
    7
    T
    8
    T
    9
    T
    10
    T
    11
    T
    12
    T
    13
    T
    14
    T
    15
    T
    16
    T
    17
    T
    18
    T
    19
    T
    20
    T
    21
    T
    22
    T
    23
    WR
    a0
    t
    ΔWR
    D(a0)
    RD
    b0
    t
    ΔRW
    t
    CC
    t
    PD -Q
    WR
    c0
    t
    周期
    t
    RW - BUB ， XIO
    D(c0)
    Q(b0)
    XDR DRAM
    T
    CFM
    CFMN
    RQ11..0
    DQ15..0
    DQN15..0
    -1
    T
    0
    T
    1
    T
    2
    T
    3
    T
    4
    T
    5
    T
    6
    T
    7
    T
    8
    T
    9
    T
    10
    T
    11
    T
    12
    T
    13
    T
    14
    T
    15
    T
    16
    T
    17
    T
    18
    T
    19
    T
    20
    T
    21
    T
    22
    WR
    a0
    t
    PD -D
    t
    CWD
    D(a0)
    t
    周期
    RD
    b0
    t
    PD- RQ
    WR
    c0
    t
    PD -D
    t
    CWD
    t
    PD- RQ
    t
    PD- RQ
    交易一： WR
    事务B ： RD
    交易C： WR
    t
    CAC
    A0 = { BA，所含CaO }
    B0 = { BB， CB0 }
    C0 = { BC ， CC0 }
    Q(b0)
    t
    RW - BUB ， XDRDRAM
    D(c0)
    t
    CC
    写 - 读 - 写在控制器和
    XDR DRAM
    W / T
    PD- RQ
    = t
    PD -Q
    = t
    PD -D
    = 1*t
    周期
    t
    PD- RQ
    RQ
    调节器
    t
    PD -D
    DQ
    RQ
    DQ
    XDR DRAM
    数据表E1033E40 （版本4.0 ）
    31
    ...
    t
    PD -Q
    ...

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