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    HM5118165LJ-7 参数 Datasheet PDF下载

    HM5118165LJ-7图片预览
    型号： HM5118165LJ-7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16M的EDO DRAM （ 1 - Mword ×16位）， 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 32 页 / 578 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5118165LJ-7的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HM5118165LJ-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM5118165LJ-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM5118165LJ-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM5118165LJ-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM5118165LJ-7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM5118165LJ-7的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM5118165LJ-7的Datasheet PDF文件第9页  
    HM5118165系列
    EO
    真值表
    RAS
    H
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    H到L
    H到L
    H到L
    L
    D
    L
    LCAS
    D
    H
    L
    L
    H
    L
    L
    H
    H
    L
    L
    H
    L
    L
    H
    L
    H
    H
    L
    L
    L
    L
    L
    H
    L
    L
    H
    L
    L
    H
    L
    H
    L
    L
    UCAS
    WE
    D
    H
    H
    H
    L
    *2
    L*
    2
    L*
    2
    OE
    D
    L
    L
    L
    D
    D
    D
    H
    H
    H
    产量
    开放
    有效
    有效
    有效
    开放
    开放
    开放
    未定义
    未定义
    未定义
    有效
    有效
    有效
    开放
    开放
    开放
    开放
    手术
    待机
    低字节读周期
    高字节
    字
    低字节早期的写周期
    高字节
    字
    低字节延迟写入周期
    高字节
    字
    低字节读 - 修改 - 写周期
    高字节
    字
    字
    字
    字
    字
    读周期（禁止输出）
    RAS-只
    刷新周期
    CAS先于RAS
    刷新周期或
    自刷新周期（L-版本）
    注意事项： 1， H：高（无效） L：低（有效） D： H或L
    2. t
    WCS
    ≥
    0 ns的早期写周期
    t
    WCS
    < 0 ns的延迟写入周期
    3.模式是通过的OR函数确定
    UCAS
    和
    LCAS 。
    （模式由最早的设定
    UCAS
    和
    LCAS
    由最新的主动力和复位
    UCAS
    和
    LCAS
    无效边沿）。然而
    写操作和输出高阻控制独立地由每一个做
    UCAS ， LCAS 。
    恩。如果
    RAS
    = H到L ，
    UCAS
    = H,
    LCAS
    = L，则
    CAS先于RAS
    刷新周期被选择。
    LP
    L*
    2
    L*
    2
    L*
    2
    H到L
    H到L
    H到L
    D
    的LtoH
    的LtoH
    的LtoH
    D
    D
    D
    D
    H
    D
    D
    D
    H
    数据表E0154H10
    5
    ro
    开放
    du
    ct

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