HM5118165LJ-7 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM5118165LJ-7
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内容描述：	16M的EDO DRAM （ 1 - Mword ×16位）， 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	32 页 / 578 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

HM5118165系列

绝对最大额定值

参数

符号

IOUT

TOPR

TSTG

价值

-1.0到+7.0

1.0

0至+70

-55到+125

单位

°C

任何引脚相对于V电压

电源电压相对于V

短路输出电流

功耗

储存温度

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

参数

待机电流

（L-版本）

工作温度

建议的直流工作条件

（大= 0至+ 70 ° C）

符号

民

4.5

2.4

–1.0

典型值

5.0

—

最大

5.5

6.5

0.8

单位

笔记

1, 2

注：1.所有的电压被称为V

2.所有V电源电压

销必须在同一水平上。与所有V电源电压

引脚

必须是在同一水平上。

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V ± 10%, V

= 0 V)

HM5118165

-5

符号

CC1

CC2

-6

-7

工作电流*

—

CC2

—

最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

200 —

—

170 —

—

150毫安

数据表E0154H10

—

150 —

—

150 µA

测试条件

=分钟

TTL接口

RAS ， UCAS ， LCAS

= V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， UCAS ，

LCAS

≥

– 0.2 V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， UCAS ，

LCAS

≥

– 0.2 V

DOUT =高阻

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