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HM5118165LJ-7 参数 Datasheet PDF下载

HM5118165LJ-7图片预览
型号: HM5118165LJ-7
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内容描述: 16M的EDO DRAM ( 1 - Mword ×16位), 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 32 页 / 578 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5118165系列
EO
读周期
参数
访问时间从
OE
输出数据保持时间
WE
根据DIN延迟时间
HM5118165
-5
符号
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OEA
t
RCS
0
0
50
0
25
15
0
3
3
最大
50
13
25
13
-6
0
0
60
0
30
18
0
3
3
15
最大
60
15
30
15
15
15
15
15
-7
0
0
70
0
35
23
0
3
3
18
3
最大
70
18
35
18
15
15
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
13, 27
13
5
27
27
27
12
笔记
8, 9
9, 10, 17
9, 11, 17
9
21
12, 22
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
从地址访问时间
READ命令设置时间
读命令保持时间
CAS
读命令保持时间从
RAS
读命令保持时间
RAS
列地址为
RAS
交货时间
列地址为
CAS
交货时间
CAS
到输出低-Z
输出数据保持时间
OE
输出缓冲器关断时间
输出缓冲关断,
OE
CAS
根据DIN延迟时间
输出数据保持时间
RAS
输出缓冲关断,
RAS
输出缓冲关断,
WE
RAS
根据DIN延迟时间
RAS
NEXT
CAS
延迟时间
LP
t
RCH
t
RCHR
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
t
CLZ
t
OH
t
OHO
t
关闭
t
OEZ
t
CDD
t
高级代表办事处
t
OFR
t
WEZ
t
世界环境日
t
RDD
t
RNCD
数据表E0154H10
9
ro
13
13
13
3
13
13
50
13
13
3
du
15
15
60
18
18
70
ct