HM5118165LJ-7 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM5118165LJ-7
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内容描述：	16M的EDO DRAM （ 1 - Mword ×16位）， 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	32 页 / 578 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

HM5118165系列

参数

待机电流*

输入漏电流

输出高电压

输出低电压

参数

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V ± 10%, V

= 0V）（续）

HM5118165

-5

符号

CC3

CC5

-6

-7

测试条件

=分钟

RAS

= V

UCAS ， LCAS

= V

DOUT =启用

=分钟

HPC

=分钟

CMOS接口

DOUT =高阻

CBR刷新：吨

= 125

µs

RAS

≤

0.3 µs

CMOS接口

RAS ， UCAS ， LCAS

≤

0.2

DOUT =高阻

0 V

≤

VIN

≤

7 V

0 V

≤

VOUT

≤

7 V

DOUT =禁用

高IOUT = -2毫安

低IOUT = 2毫安

最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

—

200 —

—

170 —

—

150毫安

RAS-只

刷新电流*

CAS先于RAS

刷新

当前

EDO页面模式电流*

CC7

备用电池电流*

（备CBR刷新）

（L-版本）

自刷新模式时的电流

（L-版本）

输出漏电流

注：1。我

依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我

最大值是在输出指定

开放的条件。

2.地址可以一次或更少，而改变

RAS

= V

3.地址可以一次或更少，而改变

UCAS

和

LCAS

= V

4. V

≥

– 0.2 V, 0 V

≤

0.2 V.

电容

（ TA = 25 ° C，V

= 5 V ± 10%)

符号

I / O

输入电容（地址）

输入电容（时钟）

输出电容（输入数据，数据出）

注意事项： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。

RAS ， UCAS

和

LCAS

= V

禁用Dout的。

CC6

—

CC10

CC11

—

2.4

190 —

185 —

500 —

170 —

165 —

500 —

150毫安

145毫安

500 µA

300 —

300 µA

–10 10

数据表E0154H10

–10 10

2.4

0.4

—

–10 10

0.4

µA

2.4

典型值

最大

单位

笔记

1, 2

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