EM39LV80070Y 参数 Datasheet PDF下载

EM39LV800

8M位（ 512Kx16 ）闪存

规范

工作范围

型号名称

EM39LV800

环境温度

0 ° C至+ 70°C

V

DD

2.7~3.6V

表7：

工作范围

测试的交流条件

输入上升/下降时间............................................. ........................为5ns

输出负载................................................ ................................. CL = 30pF的用于55Rns

输出负载................................................ ................................. CL = 100pF的用于为70ns /为90ns

请参阅图14和15

直流特性（ CMOS兼容）

参数

描述

电源电流

I

DD

读

编程和擦除

I

SB

I

LI

I

LO

V

IL

V

IH

V

IHC

V

OL

V

OH

待机V

DD

当前

输入漏电流

输出漏电流

输入低电压

输入高电压

输入高电压（ CMOS ）

输出低电压

输出高电压

测试条件

地址输入= V

IL

/V

IH

，在f = 1 / T的

RC

敏

V

DD

=V

DD

最大

CE ＃ = OE ＃ = V

IL

， WE＃ = V

IH

，所有I / O开放

CE＃ = WE＃ = V

IL

， OE ＃ = V

IH

,

CE＃ = V

IHC

, V

DD

=V

DD

最大

V

IN

= GND到V

DD,

V

DD

=V

DD

最大

V

OUT

= GND到V

DD,

V

DD

=V

DD

最大

V

DD

=V

DD

民

V

DD

=V

DD

最大

V

DD

=V

DD

最大

I

OL

= 100μA ，V

DD

=V

DD

民

I

OH

= -100μA ，V

DD

=V

DD

民

民

最大

单位

30

30

20

1

10

0.8

0.7 V

DD

V

DD

-0.3

0.2

V

DD

-0.2

mA

mA

µA

µA

µA

V

V

V

V

V

表8：

直流特性（ CMOS兼容）

推荐系统上电时序

参数

T

PU- READ

*

T

PU- WRITE

*

描述

上电到读操作

上电到编程/擦除操作

民

100

100

单位

µs

µs

*

此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后

可能影响该参数。

表9 ：

推荐系统上电时序

本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）

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