EM39LV800
8M位（ 512Kx16 ）闪存
规范
CFI查询标识字符串*
地址
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
数据
0051H
0052H
0059H
0001H
0007H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
初级OEM命令集
数据
查询独特的ASCII字符串“ QRY ”
地址初级扩展表
备用OEM命令集（ 00H =不存在）
地址备用OEM扩展表（ 00H =不存在）
*
请参考CFI出版100的更多细节。
表4：
CFI查询标识字符串1
系统接口
地址
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
数据
0027H
0036H
0000H
0000H
0004H
0000H
0004H
0006H
0001H
0000H
0001H
0001H
V
DD
敏（编程/擦除）
数据
DQ7 - DQ4 ：伏特， DQ3 - DQ0 ： 100毫伏
V
DD
马克斯（编程/擦除）
DQ7 - DQ4 ：伏特， DQ3 - DQ0 ： 100毫伏
V
PP
分钟（ 00H =无V
PP
针）
V
PP
MAX（ 00H =无V
PP
针）
典型的超时为字编程2
µs
(2 =16µs)
典型的超时时间为分钟大小的缓冲区方案2
N
µs
（ 00H =不支持）
典型的超时个别部门/块擦除2
N
MS（ 2
4
=16ms)
典型的超时芯片擦2毫秒（ 2 = 64毫秒）
最大超时的字编程2次典型的（ 2 ×2 = 32μs ）
最大超时缓冲区方案2
N
时代典型
最大超时个别部门/块擦除2次典型
(2
1
x2
4
=32ms)
最大超时芯片擦2次典型的（ 2 ×2 = 128毫秒）
N
1
6
N
N
1
4
N
6
N
4
表5：
系统接口
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）
第9页
25
EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
