EM39LV800
8M位（ 512Kx16 ）闪存
规范
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ
*
T
OLZ
*
T
CHZ
*
T
OHZ
*
T
OH
*
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址输出保持
变化
55EC
民
55
55
55
30
0
0
15
15
0
0
0
0
70EC
民
70
70
70
35
0
0
20
20
0
90EC
民
90
90
90
45
最大
最大
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
ns
ns
ns
*
此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后
可能影响该参数。
表12B ：
读周期时序参数
编程/擦除周期时序参数
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH
*
T
CPH
*
T
DS
T
DH
*
T
IDA
*
T
SE
T
BE
T
SCE
参数
字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE＃和CE ＃建立时间
WE＃和CE ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
CE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
CE＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
民
0
30
0
0
0
10
45
45
30
30
45
0
最大
20
单位
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
150
30
30
60
ns
ms
ms
ms
*
此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后
可能影响该参数。
表13：
编程/擦除周期时序参数
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）
第13页
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EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
