EM39LV800
8M位（ 512Kx16 ）闪存
规范
电容（ TA = 25 ° C，F = 1MHz时，其他引脚开路）
参数
C
I / O
*
C
IN
*
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试Conditons
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
最大
12pF
6pF
*
此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后
可能影响该参数。
表10：
电容（钽= 25
°
C，F = 1MHz时，其他引脚开路）
可靠性的特点
符号
N
结束
*
T
DR
*
I
LTH
*
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
10
100+I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
*
此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后
可能影响该参数。
表11：
可靠性的特点
AC特性
读周期时序参数
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ
*
T
OLZ
*
T
CHZ
*
T
OHZ
*
T
OH
*
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址输出保持
变化
55REC
民
55
55
55
30
0
0
15
15
0
70REC
民
70
70
70
35
0
0
20
20
0
90REC
民
90
90
90
45
0
0
30
30
0
最大
最大
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*
此参数的测量只为最初的对外贸易资质科幻阳离子和一个设计或工艺变更后
可能影响该参数。
表12A ：
读周期时序参数
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）
第12页的
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EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
